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화학적방법을사용한황화-카드뮴박막제조방법및장치

  • 기술번호 : KST2015003052
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CdS는 II-VI족 화합물 반도체의 일종으로 주로 태양전지의 창문층(Window layer)의 용도로 주로 연구되고 있으며 광학전자 분야에서도 많이 연구되고 있는 물질이다.박막을 제조하는 방법으로는 진공증착, 스퍼터링, 화학기상성장법, 전착법과 화학적인 방법이 주로 쓰이고 있다.그 중 화학적인 방법은 반응 용액 중에서 CdS의 핵이 생겨 콜로이드가 형성되며, 형성된 클로이드가 기판에 달라붙어 이미 성장하고 있는 박막 미세 조직의 치밀도를 저하시키고 두께가 고르지 않게 되며, 표면이 거칠게 되는 등의 문제가 발생되므로 질이 우수한 CdS 박막을 얻기 위하여 일반적으로 반응속도를 낮추고 반응 용액의 화학적 조성과 pH 및 온도를 최적 조건으로 맞추는 방법이 쓰인다.화학 반응은 정밀하게 제어하기가 어렵고 반응 용액의 화학적 조성등 실험조건의 미세한 변화에 따라 막의 물리적 성질과 미세 조직이 급격히 변하는 문제가 있기 때문에 재현성이 좋으면서도 빠르고 쉽게 우수한 특성이 박막을 양산할 수 있도록 공정을 개선할 필요가 있다.화학적인 CdS 박막 제조 방법에서 박막 형성 조건을 엄밀하게 제어하는 대신에 형성 반응이 일어나는 반응 용액에 초음파를 가하면 막질 개선과 함께 공정이 단순해지고 제어가 쉬워지는 효과를 얻을 수 있다.본 발명은 CdS 조성 원소를 함유한 반응 용액에 초음파를 가하여 제조공정을 개선하고 막질을 획기적으로 개선하는 방법이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/073 (2012.01.01)
CPC H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01)
출원번호/일자 1019970026529 (1997.06.23)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0264232-0000 (2000.05.26)
공개번호/일자 10-1999-0002817 (1999.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.06.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진수 대한민국 대전광역시 유성구
2 김동환 대한민국 서울특별시 성북구
3 최준영 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0084713-67
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0084712-11
3 특허출원서
Patent Application		 1997.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0084711-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0299442-91
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5402860-49
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5432040-75
11 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2000.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2000-5008975-97
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2000-5025084-75
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5059828-78
14 의견서
Written Opinion		 2000.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5059827-22
15 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2000.02.29 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2000-5061766-38
16 등록사정서
Decision to grant		 2000.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0094476-73
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학적 방법(chemical bath deposition; CBD, dip coating 또는 solution growth)을 사용하여 CdS 박막을 기판에 성장시키는 CBD법에 있어서; 상기 CBD법에 사용되는 반응용액을 cadmium acetate Cd(CH3COO)2 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.