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용매열법을 이용한 나노바 형태의 CulnSe2 화합물 반도체 합성

  • 기술번호 : KST2015003162
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법에 관한 것으로, 그 목적은 CIS로 대표되는 I-III-VI2 화합물 반도체 태양전지의 광흡수층을 간편하고 값싸게 제조하는 공정인 스프레이, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터블레이드, 캐스팅 등의 방법으로 막을 형성한 후 열처리 하기 위해 열처리 온도를 최대한 낮출 수 있도록 용매열법으로 낮은 온도와 압력에서 공정 변수의 제어를 통하여 균일한 형상의 막대 모양 나노 입자를 합성방법을 제공하는데 있다.본 발명의 구성은 용매열 방법으로 CuInSe2 화합물 반도체를 제조하는 방법에 있어서, 원료물질로 CuCl2ㆍ2H2O, InCl3ㆍ4H2O과 셀레니움(selenium)분말을 원료로 하되, 원료물질 중 Cu, In, Se 의 몰비를 1: 1: 2로 하여 장입 후 디에틸아민(diethylamine) 용매 속에서 반응시켜 균일한 막대 모양의 CIS 나노입자를 제조하는 방법을 특징으로 한다.태양전지, CuInSe₂(CIS), 광흡수층, 막대형 나노입자, 용매열법
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 31/0749 (2012.01.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020050037495 (2005.05.04)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0588603-0000 (2006.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경훈 대한민국 대전 유성구
2 김기현 대한민국 대구 수성구
3 전영갑 대한민국 서울 영등포구
4 이정철 대한민국 대전 유성구
5 윤재호 대한민국 대전 유성구
6 안세진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0235734-14
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0306561-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
용매열 방법으로 CuInSe2 화합물 반도체를 제조하는 방법에 있어서,원료물질로 CuCl2ㆍ2H2O, InCl3ㆍ4H2O과 셀레니움(selenium)분말을 원료로 하되, 원료물질 중 Cu, In, Se 의 몰비를 1: 1: 2로 하여 장입 후 디에틸아민(diethylamine) 용매 속에서 반응시켜 균일한 막대 모양의 CIS 나노입자를 제조하는 방법을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 원료 분말을 테프론 용기에 장입 후 디에틸아민 용매를 테프론 용기의 80%가 되도록 채워서 반응시키는 것을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 반응은 오토클레이브(autoclave) 용기내에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
4 4
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서 상기 용매열법의 반응온도는 170-190℃인 것을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
5 5
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서 상기 용매열법의 반응시간은 20-60시간인 것을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
6 6
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서 상기 반응 후 자연 냉각시키는 단계와;이후 냉각된 생성물을 원심분리하는 단계와;이후 증류수와 증류된 알코올로 여러 차례 반복해서 세척하는 단계와;이후 상기 과정을 거친 후 부산물을 제거하고, 부산물이 제거된 생성물은 걸러낸 후, 80℃의 진공분위기에서 6 시간 동안 건조하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.