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용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)2 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015003163
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2(이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)2(이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다. 용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020040085236 (2004.10.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0625082-0000 (2006.09.11)
공개번호/일자 10-2006-0036190 (2006.04.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경훈 대한민국 대전 유성구
2 안병태 대한민국 대전 유성구
3 루드밀라라리나 러시아 대전광역시 유성구
4 김기환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)다산에너지 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0486785-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0012977-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0238423-15
6 의견서
Written Opinion		 2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0432130-03
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0432239-70
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0510586-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서,인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2
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제 1항의 방법에 의해 제조되는 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막 버퍼층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)2 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법으로 제조되는 태양전지
3 2
제 1항의 방법에 의해 제조되는 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막 버퍼층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)2 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법으로 제조되는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.