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이원화합물의 진공증발 증착에 의한 ＣｕＩｎＳｅ２박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003164
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 금속 원소인 Cu, In, Se 보다 낮은 온도에서 진공증발이 가능한 Se계 이원화합물(Cu2Se, In2Se3)과 Se을 진공에서 동시에 증발증착하여 저가 고효율의 CuInSe2박막을 제조하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 구성은 CuInSe2(CIS) 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 태양전지의 CIS 화합물반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서, 금속원소가 아닌 Se계 이원화합물(Cu2Se, In2Se3)과 Se을 동시증발물질로 사용하여 진공증발증착실에서 기판의 온도에 변화를 주면서 순차적으로 증발증착하여 CuInSe2계 박막을 제조하는 것을 요지로 한다. CuInSe2, 박막, 광흡수층, 이원화합물, 태양전지
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020000041222 (2000.07.19)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0347106-0000 (2002.07.20)
공개번호/일자 10-2002-0007777 (2002.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20020731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.07.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경훈 대한민국 대전광역시유성구
2 송진수 대한민국 대전광역시유성구
3 안병태 대한민국 대전광역시유성구
4 이두열 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-0149876-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0110831-24
4 의견서
Written Opinion		 2002.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0167346-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0250892-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1

CuInSe2(CIS) 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 태양전지의 CIS계 화합물반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서,

금속원소가 아닌 Se계 이원화합물(Cu2Se, In2Se3)과 Se을 동시증발물질로 사용하여 진공증발증착실에서 진공상태로 기판의 온도에 변화를 주면서 순차적으로 증발증착하여 CuInSe2계 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 진공증발증착실에서 순차적으로 증발증착하여 박막을 제조하는 방법은 기판온도를 T1으로 하여 인듐 셀레나이드(In2Se3)가 장착된 증발기구를 가열하고, 연속적으로 카파 셀레나이드(Cu2Se) 증발기구를 가열하여 진공증발시키는 단계와, 기판온도를 T2로 상승시켜 Se만을 진공증발 증착하여 기판 온도를 유지한 후, 다시 인듐 셀레나이드(In2Se3)와 Se이 들어있는 두 개의 증발기구를 가열하여 진공증발 증착시키는 단계를 거친 후 냉각하여 제조하는 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서,

상기 진공증발증착실에서 순차적으로 증발증착하여 박막을 제조하는 방법은 기판온도를 T1으로 하여 인듐 셀레나이드(In2Se3)가 장착된 증발기구를 가열하고, 연속적으로 카파 셀레나이드(Cu2Se) 증발기구를 가열하여 진공증발시키는 단계를 거친 후, Se분위기를 가진 다른 장치에서 열처리하는 단계를 거쳐 제조되는 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서,

상기 진공증발증착실에서 순차적으로 증발증착하여 박막을 제조하는 방법은 기판온도를 T1으로 하여 인듐 셀레나이드(In2Se3)와 Se이 들어있는 두 개의 증발기구를 가열하여 진공증발시키는 단계와, 기판을 T2로 승온시킨 후 카파 셀레나이드 (Cu2Se)와 Se이 들어있는 두 개의 증발기구를 가열하여 증발증착시키고, 기판의 온도를 유지한 채 다시 인듐 셀레나이드(In2Se3)와 Se이 들어있는 두 개의 증발기구를 가열하여 증발증착시키는 단계를 거친 후 냉각하여 제조하는 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

5 5

제 2항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서,

상기 기판온도 T1은 250 ∼350℃이고, 기판온도 T2는 550 ∼650℃인 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

6 6

제 1내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서,

진공증발증착실의 증발기구로는 텅스텐 보트(boat)나 이퓨젼 셀(effusion cell)중에서 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.