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태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003165
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 태양전지의 광흡수층으로 사용되는 CIGS 박막을 제조단가가 비싼 고진공공정을 사용하지 않는 저가의 공정으로 제조하는데 필수적인 구형의 Cu(InGa)Se2 (CIGS) 나노입자를 간편하고 편리하게 직접적으로 합성하는 방법을 제공하는데 있다.본 발명의 구성은 용매열 방법에 의한 화합물 반도체의 제조 방법에 있어서, 원료물질로 Cu, In+Ga, Se 분말을 에틸렌디아민(ethylenediamine) 용매 속에서 몰비 1: 1: 2로 장입하여 반응시켜 구형의 CIGS 나노 분말을 제조하는 것을 특징으로 한다. 태양전지, Cu(InGa)Se₂, 광흡수층, 막대형 나노입자, 용매열법
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020050037550 (2005.05.04)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0588604-0000 (2006.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경훈 대한민국 대전 유성구
2 전영갑 대한민국 서울 영등포구
3 김기현 대한민국 대구 수성구
4 이정철 대한민국 대전 유성구
5 윤재호 대한민국 대전 유성구
6 안세진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 금강건설산업 광주광역시 서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0236078-38
2 등록결정서
Decision to grant
2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0306562-82
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
용매열 방법에 의한 화합물 반도체의 제조 방법에 있어서,원료물질로 Cu, In+Ga, Se 분말을 에틸렌디아민(ethylenediamine) 용매 속에서 몰비 1: 1: 2로 장입하여 반응시켜 구형의 CIGS 나노 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,화학양론비에 맞춘 CIGS 전체가 0
3 3
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서,상기 용매열법의 반응온도는 180℃-280℃인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법
4 4
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서,상기 용매열법의 반응시간은 4시간 - 36시간인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법
5 5
제 1항 또는 2항 중 어느 한항에 있어서 상기 반응 후 자연 냉각시키는 단계와;이후 냉각된 생성물을 원심분리하는 단계와;이후 증류수와 증류된 알코올로 여러 차례 반복해서 세척하는 단계와;이후 상기 과정을 거친 후 부산물을 제거하고, 부산물이 제거된 생성물은 걸러낸 후, 80℃의 진공분위기에서 6 시간 동안 건조하는 단계를 더 포함하여 이루어져 30-80 nm 크기의 구형의 CIGS 나노분말을 얻는 방법을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층용 Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법
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