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소정 간격의 케비티(Cavity)가 형성된 기판상에 설치되며 복수의 관통 구멍이 형성되는 멤브레인;상기 케비티가 형성된 공간상에 있는 상기 멤브레인의 상부와 하부에 형성되며 상기 복수의 관통 구멍을 통해 연결된 구조를 가지는 감지부;상기 멤브레인 상부에 설치되어 상기 감지부를 가열시키는 가열부;상기 감지부의 양단에 접촉되어 상기 감지부의 전기적 변화를 측정하는 감지 전극; 및상기 가열부와 상기 감지 전극 사이의 전기적 절연을 위해 형성되는 절연막을 포함하여 이루어지는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 멤브레인은, 실리콘 질화막(Si3N4), 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 산화질화막(SiON) 중 어느 하나 또는 복수의 적층으로 이루어지는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 관통 구멍은,상기 멤브레인을 관통하는 원형 또는 복수의 꼭지점을 가지는 다각형 모양으로 형성되는 가스 센서
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 절연막은,상기 멤브레인에 형성된 복수의 관통 구멍과 동일한 모양으로 연장 형성되는 복수의 관통 구멍이 형성되는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 가열부 및 감지 전극의 재료는 백금(Pt) 또는 금(Au)중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 가열부와 상기 감지 전극은,상기 절연막 하부의 동일 평면에 위치하거나, 또는 상기 가열부가 상기 절연막 하부에 위치하고 감지전극이 절연막 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 기판은,실리콘 재질로 상기 멤브레인의 하부로부터 상기 기판의 하단까지 일정 간격을 식각하여 케비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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내구성이 향상된 가스 센서 제조 방법에 있어서,a) 기판 상에 설치되는 멤브레인 상에 감지부를 가열을 위한 가열부와 상기감지부의 저항 변환을 측정하기 위한 감지 전극을 각각 형성하는 단계;b) 상기 가열부 및 상기 감지 전극을 전기적으로 절연시키기 위한 절연막을 형성하는 단계;c) 상기 절연막과 상기 멤브레인을 수직으로 관통하는 복수의 관통 구멍을 형성하는 단계;d) 상기 멤브레인의 하부에 있는 상기 기판의 일부를 식각하여 케비티를 형성하는 단계; 및e) 액상의 감지재료를 상기 멤브레인의 상부와 하부에 도포하여 상기 복수의 관통 구멍을 통해 결합되는 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 c) 단계는,상기 가열부 및 감지 전극의 상부 전면에 형성된 절면막의 각 일부를 식각하여, 상기 가열부에 전원을 인가하기 위한 가열부 윈도우를 형성하는 단계;양측으로 형성된 상기 감지 전극의 단부에 상기 감지부가 연결될 수 있도록 감지부 윈도우를 형성하는 단계; 및상기 감지 윈도우의 타단부에 감지부의 전기적 특성 변화를 외부에 연결하여 측정하기 위한 감지 전극 윈도우를 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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