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박막형 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003219
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 박막형 태양전지는 투명전극; 상기 투명전극의 후면에 위치하며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 광흡수층; 상기 광흡수층의 후면에 위치하는 배면전극; 및 상기 배면전극의 후면에 위치하는 기판을 포함하며, 상기 배면전극과 기판 사이에 위치하며, 실리콘산화물 및 나트륨을 포함하는 확산장벽층을 포함한다.상기 박막형 태양전지는 기판과 배면전극 사이에 실리콘 산화물 및 나트륨을 포함하는 확산장벽층을 포함함으로써 기판으로부터 광흡수층으로의 불순물 확산이 억제되고, 별도의 Na 확산층 형성 없이도 Na이 광흡수층으로 용이하게 확산됨으로써 광흡수층의 결정성을 향상시키며, 그 결과로 개선된 전지 효율을 나타낼 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020120009771 (2012.01.31)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1403462-0000 (2014.05.28)
공개번호/일자 10-2013-0088499 (2013.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전북 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0081046-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0025509-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0430177-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0656172-38
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0656178-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0783284-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1158185-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1158184-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1177195-54
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0333678-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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폴리실라잔 및 나트륨 원료물질을 포함하는 확산장벽층 형성용 조성물을 제조하는 단계;상기 확산장벽층 형성용 조성물을 이용하여 기판 위에 확산장벽층을 형성하는 단계;상기 확산장벽층 위에 배면전극을 형성하는 단계;상기 배면전극 위에 광흡수층을 형성하는 단계; 그리고상기 광흡수층 위에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 폴리실라잔은 중량평균 분자량이 45 내지 60g/mol이고, 밀도가 1
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제8항에 있어서,상기 나트륨 원료물질은 NaCl, NaCO3, NaBH4, C4H4Na2O4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 나트륨 원료물질은 확산장벽층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 7중량%로 포함되는 것인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산화제는 과산화수소(H2O2), 브롬산나트륨(NaBrO3), 과망간산칼륨(KMnO4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 확산장벽층 형성 단계는 스핀코팅법, 딥코팅법 및 스핀코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 방법에 의해 실시되는 것인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 확산장벽층 형성 단계는 상온 내지 400℃의 온도에서 실시되는 것인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 따른 제조방법에 의해 제조되며,투명전극;상기 투명전극의 후면에 형성되며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 광흡수층;상기 광흡수층의 후면에 형성되는 배면전극; 및상기 배면전극의 후면에 형성되는 기판을 포함하고,상기 배면전극과 기판 사이에 위치하며, 실리콘 산화물 및 나트륨(Na)을 포함하는 확산장벽층을 더 포함하며,상기 실리콘 산화물은 Si-O-Si 스트레칭(stretching)에 대한 피크 영역이 1040 내지 1140cm-l에 위치하고, Si-O 결합(bending)에 대한 피크 영역이 770 내지 820cm- l에 위치한 것인 박막형 태양전지
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 신재생에너지산업 인재양성 센터 산학녹색기술공동개발 Co-sputtering에 의한 고효율 CIGS 박막형 태양전지 제작기술 개발