맞춤기술찾기

이전대상기술

산화아연 나노플레이트를 이용한 면상 발열체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003257
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노플레이트를 이용한 면상 발열체 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체는 기판; 및 기판 상에 산화아연 나노플레이트(ZnO nanoplate)로 형성되는 발열층을 포함한다.
Int. CL H05B 3/20 (2006.01)
CPC H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01)
출원번호/일자 1020130081727 (2013.07.11)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1447079-0000 (2014.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.11)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 경기 용인시 수지구
2 조진우 대한민국 경기 성남시 분당구
3 이경일 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 이철승 대한민국 경기 성남시 분당구
5 서문석 대한민국 경기 안양시 동안구
6 신권우 대한민국 경기 화성
7 김선민 대한민국 서울 성동구
8 박지선 대한민국 경기 용인시 수지구
9 박성확 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김민협 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0625761-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0444993-15
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0721764-06
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0721743-47
5 등록결정서
Decision to grant
2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0660114-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 산화아연 나노플레이트(ZnO nanoplate)로 형성되는 발열층; 및 상기 발열층 상부에 형성되는 보호층;을 포함하고, 상기 보호층은 액체유리인 면상 발열체
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 발열층 양단에 각각 형성되는 전극을 더 포함하는 면상 발열체
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 전극은 은(Ag) 나노와이어, 은 페이스트, 구리, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, SnO2, 카본나노튜브 또는 그래핀인 면상 발열체
4 4
삭제
5 5
증류수에 몰농도가 동일한 아연 전구체 및 아민류 화합물을 혼합하여 성장 용액을 제조하는 1단계;상기 성장 용액을 열처리하여 산화아연 나노와이어 및 산화아연 나노플레이트를 성장시키는 2단계; 원심분리기를 통해 상기 산화아연 나노플레이트를 분리하고, 상기 산화아연 나노플레이트를 기판 상에 코팅하여 발열층을 형성하는 3단계를 포함하는 면상 발열체 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 1단계의 아연 전구체는 질산아연 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아민류 화합물은 헥사메틸렌테트라민(HMT, Hexamethylenetetramine)이고, 상기 성장 용액은 폴리에틸렌아민을 더 포함하는 면상 발열체 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 질산아연 육수화물 및 헥사메틸렌테트라민의 몰농도는 0
8 8
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서, 상기 3단계 이후에, 상기 발열층 양단에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 발열층 상부에 액체 유리로 형성되는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 면상 발열체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 국가플랫폼기술개발사업 액상공정 기반 나노구조체 제작 기술