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단결정 그래핀의 제조방법

기술번호 : KST2015003262
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 웨이퍼 스케일의 절연체 기판 상에 단결정과 같이 한 방향으로 정렬된 그래핀막을 성장시키기 위하여, 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 상에 촉매를 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계를 포함하는 단결정 그래핀막의 제조방법을 제공한다.
Int. CL	C30B 25/16 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)
CPC	C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자	1020130167109 (2013.12.30)
출원인	한국표준과학연구원
등록번호/일자	10-1572066-0000 (2015.11.20)
공개번호/일자	10-2015-0078047 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자	(20151126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.30)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	황찬용	대한민국	서울 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	한윤호	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3	양기혁	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2013-1205048-53
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.08.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2014-0074006-71
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.02.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0100913-40
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.04.08	수리 (Accepted)	1-1-2015-0343522-32
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.04.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0343521-97
8	등록결정서 Decision to grant	2015.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0563011-64
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계;상기 다결정 그래핀 상에 촉매를 형성하는 단계; 및상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써, 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 웨이퍼 스케일의 기판을 포함하고,상기 열처리는 국부적 가열원을 이용하여 상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매의 제 1 부분을 가열하는 단계; 및 상기 국부적 가열원을 이동시켜 상기 제 1 부분을 냉각시킴과 동시에 다른 위치의 제 2 부분을 가열하는 단계;를 포함하여 수행되는, 단결정 그래핀의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 기판은 Al2O3, AlN, Si3N4, SrTiO3 또는 BN을 포함하여 이루어진 절연기판인, 단결정 그래핀의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 기판은 상기 절연기판 상에 천이금속을 0
4	4 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 단결정 그래핀은 상기 기판 상에 성장한 단결정 그래핀을 포함하는, 단결정 그래핀의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 기판은 W 또는 Mo을 포함하여 이루어진 금속기판인, 단결정 그래핀의 제조방법
6	6 삭제
7	7 제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계는 600℃ 내지 1100℃의 온도에서 수행되는, 단결정 그래핀의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 촉매는 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 화합물 또는 3d 천이금속계 화합물을 포함하는, 단결정 그래핀의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서,상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써, 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계는 1400℃ 내지 2000℃의 온도에서 수행되는, 단결정 그래핀의 제조방법
10	10 삭제
11	11 제 1 항에 있어서,상기 열처리는 상기 기판의 일측에서 타측으로 일방향으로 상기 국부적 가열원을 이동시켜 수행되는, 단결정 그래핀의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP03091106	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	EP03091106	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	JP28538236	JP	일본	FAMILY
4	US09834855	US	미국	FAMILY
5	US20170009371	US	미국	FAMILY
6	WO2015102318	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP3091106	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
2	EP3091106	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
3	EP3091106	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
4	JP2016538236	JP	일본	DOCDBFAMILY
5	US2017009371	US	미국	DOCDBFAMILY
6	US9834855	US	미국	DOCDBFAMILY
7	WO2015102318	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	한국표준과학연구원	신기술융합형 성장동력사업	SSD용대면적그래핀성장및나노물성측정기술개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1572066-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131230 출원 번호 : 1020130167109 공고 연월일 : 20151126 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150820 청구범위의 항수 : 9 유별 : C30B 25/16 발명의 명칭 : 단결정 그래핀의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2015년 11월 23일	납입
제 4 년분	금 액	119,000 원	2018년 11월 01일	납입
제 5 년분	금 액	119,000 원	2019년 09월 26일	납입
제 6 년분	금 액	119,000 원	2020년 09월 23일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2013-1205048-53
2	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
3	선행기술조사의뢰서	2014.08.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2014.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2014-0074006-71
5	의견제출통지서	2015.02.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0100913-40
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.04.08	수리 (Accepted)	1-1-2015-0343522-32
7	[명세서등 보정]보정서	2015.04.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0343521-97
8	등록결정서	2015.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0563011-64
9	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
11	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72


기술번호	KST2015003262
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국표준과학연구원
기술명	단결정 그래핀의 제조방법
기술개요	본 발명은 웨이퍼 스케일의 절연체 기판 상에 단결정과 같이 한 방향으로 정렬된 그래핀막을 성장시키기 위하여, 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 상에 촉매를 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계를 포함하는 단결정 그래핀막의 제조방법을 제공한다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	그래핀을 이용한 전자소자
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1711005859
세부과제번호	2010-50173
연구과제명	SSD용 대면적 그래핀 성장 및 나노/열전 물성 측정 기술 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	200907~201406
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020130167109]	단결정 그래핀의 제조방법	새창보기

중요키워드

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[KST2018001479][한국표준과학연구원]	고균일 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법(Method for preparing thin film of two-dimensional transition metal dichalcogenide having high uniformity)	새창보기

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