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요약
Int. CL
CPC
출원번호/일자
1020130012782
출원인
등록번호/일자
공개번호/일자
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수
0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
공개전문 정보가 없습니다
등록사항 정보가 없습니다
통합행정정보가 없습니다
기술번호
KST2015003294
자료제공기관
NTB
기술공급기관
기술명
Photoless 공정을 적용한 유기발광다이오드 제조방법
기술개요
본 발명은 원자층 증착법을 활용하고 절연막 증착 사이클을 1회 이상 수행하여 고밀도의 Al2O3 절연막을 제조하는 기술임. 또한, 기판에 ITO 박막, 유기물층 및 Al2O3 절연막을 증착하여 유기전자소자를 제조하는 Photoless 공정을 적용한 유기발광다이오드 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성으로 인해, 미세 기공 및 결점이 없는 고품질 및 고밀도의 절연막 형성이 가능하고, 전구체와 반응물질을 동시에 공급하여 공정시간이 단축되어 대량 생산이 가능하며, 저온의 조건에서 수행 가능하여 공정비용을 절감할 수 있으며, 유기전자소자의 수명이 향상될 수 있다.