| 1 |
1
반응기 내부에 구비된 기판과 산화아연 타겟에 알곤과 질소 혼합가스 플라즈마를 형성하여 질소가 도핑된 산화아연을 증착하는 단계와, 상기의 형성된 질소가 도핑된 산화아연 박막의 증착 두께를 제어하여 밴드 갭을 제어하는 단계와, 및 상기의 형성된 질소가 도핑된 산화아연 박막 상부에 질소가 도핑된 산화구리 박막(N-doped CuO)을 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 아연소스 타겟은 Zn 또는 ZnO 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 혼합가스에 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 박막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항 및 제 2항에 있어서, 혼합가스는 알곤가스/질소가스, 알곤가스/질소가스/산소가스 또는 질소가스/산소가스를 혼합한 가스로 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 박막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 반응기 내부에 놓여진 기판에 산화아연 타겟과 알곤가스와 질소가스의 혼합가스에 의해 플라즈마를 형성하여 질소가 도핑된 산화아연 박막의 증착시간 및 두께를 RF 파워 40~300W로 제어하고, 반응기의 온도를 실온~400℃로 제어하여 밴드 갭이 조절되는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 박막의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 산화아연에 질소를 도핑하여 광흡수 영역을 증대시키고, 밴드갭의 조절이 가능하게 한 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
밴드 갭이 조절되고 산화아연 박막 상부에 질소가 도핑되어 산화구리 박막을 형성하고 전극을 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서, 전극은 산화구리, 이산화티타늄, 산화주석 또는 p-형 실리콘 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질이 질소가 도핑된 산화아연 박막 상부에 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
|
