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고순도 황산니켈의 결정 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003386
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Zn-Ni 도금조업시 발생되는 폐니켈양극을 이용하여 고순도의 황산니켈 결정을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하여,폐니켈양극을 가공하여 칩으로 제조하는 단계;니켈칩을 폐니켈 1당량당 황산과 산화제의 당량비가 1:0.5∼1:1.5가 되도록 혼합한 황산과 산화제의 혼합물로 용해하여 니켈을 추출하는 단계;수득된 니켈 추출액을 증발, 농축, 냉각, 여과하여 1차 황산니켈 결정을 제조하는 단계;상기 1차 결정의 표면을 수세한 다음 재용해하고 이에 산화제를 첨가하여 2가 철이온을 3가 철이온으로 산화시키는 단계;고순도의 탄산니켈 및/또는 수산화니켈을 투입하여 용액의 pH를 3∼6으로 조절하여 수산화철 슬러지를 형성하는 단계; 여과하여 상기 형성된 수산화철 슬러지 및 불순물을 제거하는 단계;상기 불순물이 제거된 황산니켈 용액을 증발, 농축 및 결정화하여 결정을 제조하는 단계; 및 상기 제조된 결정을 건조하는 단계;를 포함하는 폐니켈양극을 이용한 고순도 황산니켈 결정 제조방법이 제공되며, 본 발명에 의한 방법으로 황산니켈을 제조하므로써 폐니켈 양극으로부터 고순도의 황산니켈이 제조된다. 폐니켈양극, 황산니켈
Int. CL C01G 53/10 (2006.01)
CPC C01G 53/10(2013.01)C01G 53/10(2013.01)C01G 53/10(2013.01)C01G 53/10(2013.01)
출원번호/일자 1019990032752 (1999.08.10)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0311689-0000 (2001.09.27)
공개번호/일자 10-2001-0017305 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.08.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이훈하 대한민국 경상북도포항시남구
2 손진군 대한민국 경상북도포항시남구
3 이재영 대한민국 경상북도포항시남구
4 김대영 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.08.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-0092966-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0259563-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1

폐니켈양극을 가공하여 칩으로 제조하는 단계;

니켈칩을 폐니켈 1당량당 황산과 산화제의 당량비가 1:0

2 2

제 1항에 있어서, 상기 니켈추출단계에서 사용되는 산화제는 질산 혹은 과산화수소임을 특징으로 하는 방법
3 3

제 1 항에 있어서, 상기 철이온 산화단계에서 사용되는 산화제는 과산화수소, 공기 혹은 산소임을 특징으로 하는 방법
4 4

제 3 항에 있어서, 상기 산화제로 과산화수소가 사용되는 경우, 과산화수소는 용액중 철이온과 동일한 당량비로 첨가됨을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.