요약 | 본 발명은 태양전지의 배면전극의 제조방법 및 태양전지용 전극에 관한 것으로, 비활성기체를 10 내지 15 mtorr 압력으로 공급하면서, 기판상에 제1 전극형성물질을 증착시켜 제1 배면전극층을 형성하는 제1 전극층형성단계, 및 비활성기체를 1 내지 5 mtorr의 압력으로 공급하면서, 상기 제1 배면전극층상에 제2 전극형성물질을 증착시켜 제2 배면전극층을 형성하는 제2 전극층형성단계를 포함하고, 상기 제1 배면전극층및 제2 배면전극층의 두께비는 1 : 10 내지 1 : 1.5인 것이다.상기 태양전지용 배면전극의 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 전극은 서로 다른 2 형태의 배면전극을 형성하여 기판과의 접착력이 우수하여 배면전극층의 박리현상이 방지될 뿐만 아니라, 배면전극의 직렬저항을 최소화할 수 있다. 따라서, 배면전극은 기판에서 박리현상이 거의 없고, 낮은 전기저항으로 CIS/CIGS계 태양전지의 효율 및 수명을 향상시킬 수 있게 한다. |
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Int. CL | H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) |
CPC | H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120010011 (2012.01.31) |
출원인 | 전북대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1421533-0000 (2014.07.15) |
공개번호/일자 | 10-2013-0088639 (2013.08.08) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20140724) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.01.31) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전북대학교산학협력단 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이철로 | 대한민국 | 전북 전주시 덕진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 천지 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전북대학교산학협력단 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0082396-61 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0218858-35 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0482559-12 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0582458-22 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0597392-58 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.07.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0597397-86 |
8 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2013.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0829410-60 |
9 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2013.12.30 | 수리 (Accepted) | 7-1-2013-0051129-02 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0089421-03 |
11 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2014.01.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0089419-11 |
12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0166686-60 |
13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.03.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0306886-99 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0306887-34 |
15 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2014.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0446602-36 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 비활성기체를 10 내지 15 mtorr 압력으로 공급하면서, 기판상에 제1 전극형성물질을 증착시켜 밀도가 2 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 제1 전극형성물질 및 제2 전극형성물질은 아연(Zn), 텔루륨(Te), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 안티모니(Sb) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 태양전지용 배면전극의 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서,상기 비활성기체는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 태양전지용 배면전극의 제조방법 |
4 |
4 제 1항에 있어서,상기 제1 배면전극층 및 제2 배면전극층은 스퍼터링법, 열증착법, 화학적 증착법(CVD), 원자층 증착법(ALD) 및 전기도금법으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법에 따라 증착시켜 형성하는 것인 태양전지용 배면전극의 제조방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서,상기 제1 배면전극층 및 제2 배면전극층은 전류는 0 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 교육과학기술부 | 전북대학교 신재생에너지산업 인재양성 센터 | 산학녹색기술공동개발 | Co-sputtering에 의한 고효율 CIGS 박막형 태양전지 제작기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-1421533-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20120131 출원 번호 : 1020120010011 공고 연월일 : 20140724 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140627 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지용 배면전극의 제조방법 및 태양전지용 전극 존속기간(예정)만료일 : 20190716 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2014년 07월 16일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 06월 28일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 75,000 원 | 2018년 06월 22일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0082396-61 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
3 | 의견제출통지서 | 2013.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0218858-35 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0482559-12 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0582458-22 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0597392-58 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.07.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0597397-86 |
8 | 거절결정서 | 2013.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0829410-60 |
9 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.12.30 | 수리 (Accepted) | 7-1-2013-0051129-02 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.01.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0089421-03 |
11 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2014.01.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0089419-11 |
12 | 의견제출통지서 | 2014.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0166686-60 |
13 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.03.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0306886-99 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0306887-34 |
15 | 등록결정서 | 2014.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0446602-36 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
기술번호 | KST2015003427 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 전북대학교 |
기술명 | 태양전지용 배면전극의 제조방법 및 태양전지용 전극 |
기술개요 |
본 발명은 태양전지의 배면전극의 제조방법 및 태양전지용 전극에 관한 것으로, 비활성기체를 10 내지 15 mtorr 압력으로 공급하면서, 기판상에 제1 전극형성물질을 증착시켜 제1 배면전극층을 형성하는 제1 전극층형성단계, 및 비활성기체를 1 내지 5 mtorr의 압력으로 공급하면서, 상기 제1 배면전극층상에 제2 전극형성물질을 증착시켜 제2 배면전극층을 형성하는 제2 전극층형성단계를 포함하고, 상기 제1 배면전극층및 제2 배면전극층의 두께비는 1 : 10 내지 1 : 1.5인 것이다.상기 태양전지용 배면전극의 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 전극은 서로 다른 2 형태의 배면전극을 형성하여 기판과의 접착력이 우수하여 배면전극층의 박리현상이 방지될 뿐만 아니라, 배면전극의 직렬저항을 최소화할 수 있다. 따라서, 배면전극은 기판에서 박리현상이 거의 없고, 낮은 전기저항으로 CIS/CIGS계 태양전지의 효율 및 수명을 향상시킬 수 있게 한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 태양전지의 효율 및 수명 향상 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345137984 |
---|---|
세부과제번호 | 314-2008-1-D00249 |
연구과제명 | SA-MOCVD법에 의한 Vertical 및 Core-Shell 나노양자구조 (AlxGa1-x)1-yInyN/Si Nano-Wire 성장과 수평형 Assembly 기술을 이용한 NW 1-D 반도체 소자 제작 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200807~201106 |
기여율 | 0.2 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345171612 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-0060082 |
연구과제명 | Nano-masked SA-MOCVD법에 의한 Vertical 및 Core-Shell 나노양자구조 (AlxGa1-x)1-yInyN/Si Nano-Wire 성장과 수평형?수직형 Assembly 기술을 이용한 관련 1-D 반도체 소자 제작기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200806~201305 |
기여율 | 0.2 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345173361 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0019626 |
연구과제명 | UV2IR 나노 광전자소자 연구실 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201009~201508 |
기여율 | 0.2 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415119382 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-H-1-A-Y0-C-13 |
연구과제명 | 전기증착방법을 이용한 CIGS Precursor 개발 및 Precursor를 이용한 초저가, 고효율 CIGS 태양전지개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | ㈜다쓰테크 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200910~201204 |
기여율 | 0.2 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415126149 |
---|---|
세부과제번호 | 20124030200080 |
연구과제명 | 실리콘계 태양전지 소재·소자 고급트랙 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 전북대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201207~201506 |
기여율 | 0.2 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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