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주사 정전용량 현미경용 탐침

  • 기술번호 : KST2015003456
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주사 정전용량 현미경용 탐침에 관한 것으로서, 전도성 탐침 상에 유전 특성을 갖는 유전 박막을 적층하도록 구성함으로써, 유전 박막이 반도체와 접촉하고 있는 상태에서 전도성 탐침에 전압이 인가될 경우 상기 반도체에 도핑되는 불순물의 종류에 따라 반도체 표면 근처에 음전하 혹은 양전하가 유도되면, 일정한 인가전압 하에서 반도체에 포함된 불순물의 양에 의해 반도체 표면 근처에 유도된 전하의 양이 결정되어 최종적으로 주사 정전용량 현미경에 구비된 정전용량 측정 센서를 통하여 상기 전도성 탐침과 상기 반도체 사이의 정전용량을 측정함으로써 상기 반도체에 존재하는 불순물의 종류와 양을 분석 할 수 있으며, 불순물의 분포상태를 2차원적으로 영상화할 수 있다. 따라서, 시료 전처리 과정 없이 정전용량 현미경 분석이 가능하기 때문에, 분석 속도를 향상 시킬 수 있고, 종래의 주사 정전용량 현미경에 부가적인 장치를 추가하거나 별도의 개조 없이 주사 정전용량 현미경 분석 검출력을 높일 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL G01Q 60/46 (2010.01) G01Q 70/08 (2010.01)
CPC G01Q 70/12(2013.01) G01Q 70/12(2013.01) G01Q 70/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120081282 (2012.07.25)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1435630-0000 (2014.08.22)
공개번호/일자 10-2014-0014666 (2014.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철종 대한민국 전북 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0595599-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.25 수리 (Accepted) 9-1-2013-0089265-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0829983-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0065203-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0065202-59
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0375047-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0613507-23
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0613508-79
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0544649-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 탐침부; 및상기 전도성 탐침부의 표면에 적층 형성되어 측정하고자 하는 시료에 접촉하도록 하는 유전 박막층;을 포함하고,상기 유전 박막층은,실리콘 산화막 보다 큰 유전율을 가지는 유전체로 형성되되, 하프늄(Hf) 또는 하프늄(Hf)을 포함하는 화합물이 산소와 반응하여 형성된 산화막으로 이루어지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
2 2
제1항에서, 상기 전도성 탐침부는,피라미드 형상의 뾰족한 단부를 가지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
3 3
제1항에서, 상기 전도성 탐침부는, 저항(Resistance, 抵抗) 또는 비저항(Specific Resistance, 比抵抗)이 낮은 물질로 이루어지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
4 4
제3항에서,상기 전도성 탐침부는,금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 류세늄(Ru), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 탄탈늄(TA), 크롬(Cr), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 납(Pb), 세슘(Cs), 하프늄(Hf), 레늄(Re), 벨릴늄(Be), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소나노튜브(Carbon Nanotube) 및 그라핀(Graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 주사 정전용량 현미경용 탐침
5 5
제3항에서, 상기 전도성 탐침부는,인듐 주석 산화물 (ITO(Indium-Tin Oxide)), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 이산화 타이타늄(TiO2), 질화갈륨(GaN), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrole), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리설퍼니트리드(polysulfonitride), 폴리파라페닐렌(Polyparaphenylene), 폴리디엔니렌(Polydienylene), 폴리페닐렌비닐렌(Polyphenylene vinylene) 및 폴리에틸렌 디옥시씨오펜(PEDOT, poly(3,4-ethylene dioxythiophene))으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 주사 정전용량 현미경용 탐침
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
비전도성 탐침부; 상기 비전도성 탐침부 표면를 덮으며 박막 형태로 적층 형성되는 전류를 인가할 수 있도록 하는 전도성 박막층; 및상기 전도성 박막층을 덮으며 적층 형성되어 측정하고자 하는 시료에 접촉하도록 하는 유전 박막층;을 포함하고,상기 유전 박막층은,실리콘 산화막 보다 큰 유전율을 가지는 유전체로 형성되되,하프늄(Hf) 또는 하프늄(Hf)을 포함하는 화합물이 산소와 반응하여 형성된 산화막으로 이루어지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
9 9
제8항에서, 상기 비전도성 탐침부는,피라미드 형상의 뾰족한 단부를 가지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
10 10
제9항에서,상기 비전도성 탐침부는,실리콘, 게르마늄, 실리콘 산화물, 게르마늄 산화물, 질화실리콘, 질화갈륨 및 산화아연으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 주사 정전용량 현미경용 탐침
11 11
제8항에서,상기 전도성 박막층은,저항(Resistance, 抵抗) 또는 비저항(Specific Resistance, 比抵抗)이 낮은 물질로 이루어지는 주사 정전용량 현미경용 탐침
12 12
제11항에서,상기 전도성 박막층은, 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 류세늄(Ru), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 탄탈늄(TA), 크롬(Cr), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 납(Pb), 세슘(Cs), 하프늄(Hf), 레늄(Re), 벨릴늄(Be), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소나노튜브(Carbon Nanotube) 및 그라핀(Graphene)으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 주사 정전용량 현미경용 탐침
13 13
제11항에서, 상기 전도성 박막층은, 인듐 주석 산화물 (ITO(Indium-Tin Oxide)), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 이산화 타이타늄(TiO2), 질화갈륨(GaN), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrole), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리설퍼니트리드(polysulfonitride), 폴리파라페닐렌(Polyparaphenylene), 폴리디엔니렌(Polydienylene), 폴리페닐렌비닐렌(Polyphenylene vinylene) 및 폴리에틸렌 디옥시씨오펜(PEDOT, poly(3,4-ethylene dioxythiophene))으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 주사 정전용량 현미경용 탐침
14 14
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15 15
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학 중견연구자지원사업 반극성 질화물계 녹색 LED 개발