맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

상압플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 차세대 태양전지 제작 기술

  • 기술번호 : KST2015003599
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법에 관한 것으로서, 특히 상압 플라즈마 화학기상 증착장치의 챔버 내에 설치된 기판에 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막이 증착되도록 원료 가스를 투입하면서 상압으로 유지시키는 제 1공정과; 상압으로 유지된 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키고, 일정 온도를 유지하면서 상기 원료 가스의 반응성을 통해 상기 기판 상에 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막을 증착하는 제 2공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.상기와 같은 본 발명에 따르면 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용하여 실리콘 박막을 증착시 실리콘 소스로는 SiH4 또는 Si2H6 가스를 사용하고 반응가스로는 GeF4를 사용하며, 베이스 가스로는 Ar, He을 사용하고, 상압의 증착 압력에서 고주파의 플라즈마를 생성시켜 실리콘 박막을 성장시킴으로써 고품질의 실리콘 박막을 고속 성장시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01)
출원번호/일자 1020110064241 (2011.06.30)
출원인 재단법인 녹색에너지연구원
등록번호/일자 10-1177057-0000 (2012.08.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.30)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 대한민국 전라남도 목포시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임철현 대한민국 전라남도 목포시 옥암로***번
2 하나쥰이치 일본 일본국 요코하마시
3 야스타케키요시 일본 일본국 오사카
4 카키우치 히로아키 일본 일본국 오사카
5 이석호 대한민국 전라남도 무안군
6 박주영 대한민국 전라남도 목포시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 선종철 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 전라남도 목포시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0499992-97
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0060020-64
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0514733-87
4 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0541815-55
5 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0064493-28
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0056692-70
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0444351-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5170319-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-0012701-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상압 플라즈마 화학기상 증착장치의 챔버 내에 설치된 기판에 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막이 증착되도록 원료 가스를 투입하면서 상압으로 유지시키는 제 1공정과;상압으로 유지된 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키고, 일정 온도를 유지하면서 상기 원료 가스의 반응성을 통해 상기 기판 상에 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막을 증착하는 제 2공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 원료 가스는,실리콘 소스 가스로는 SiH4 또는 Si2H6가 사용되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 원료 가스는,반응가스로는 GeF4가 사용되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 원료 가스는,베이스 가스로는 Ar 또는 He가 사용되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 원료 가스는,SiH4 또는 Si2H6: GeF4의 가스비 100~20%의 조건하에서 수행되어 상기 실리콘게르미늄 박막 내에 Ge의 농도를 10% 내외로 유지시키는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 제 2공정은,증착온도 400~500℃, 전극거리 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판은,유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼가 사용되고, 유리기판의 경우 유기물 및 파티클 제거를 위해 아세톤, 에탄올, 메탄올에서 각각 5분의 초음파세척을 한 기판을 사용하며, 실리콘 웨이퍼는 RCA 세척을 한 기판을 증착 직전에 1% HF를 통해 자연산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.