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고효율 유무기 하이브리드 템덤셀 제작을 위한 비정질 무기 적층형 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015003724
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유무기 하이브리드 적층형 태양전지가 개시된다. 유무기 하이브리드 적층형 태양전지는 제1 무기 태양전지 유닛, 제2 무기 태양전지 유닛, 중간 전극층 및 유기 태양전지 유닛을 구비한다. 제1 무기 태양전지 유닛의 제1 p-형 반도체층은 p-형 불순물이 도핑된 아몰포스 수소화 실리콘으로 이루어진 제1 박막 및 p-형 불순물이 도핑된 아몰포스 수소화 실리콘 산화물로 이루어진 제2 박막을 구비한다. 이러한 유무기 하이브리드 적층형 태양전지는 개방전압(Voc)을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) H01L 31/076 (2012.01)
CPC H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01)
출원번호/일자 1020140067616 (2014.06.03)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1420077-0000 (2014.07.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0021746 (2013.02.28)
관련 출원번호 1020130021746
심사청구여부/일자 Y (2014.06.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 박진주 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 정준희 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 신종훈 대한민국 경기도 김포시 유현로 **
5 봉성재 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0526024-64
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0458323-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판 상부에 투명 도전막을 형성하는 단계;상기 투명 도전막 상부에 p-형 불순물이 도핑된 아몰포스 수소화 실리콘으로 이루어진 제1 박막 및 p-형 불순물이 도핑된 아몰포스 수소화 실리콘 산화물로 이루어진 제2 박막을 순차적으로 형성하여 제1 p-형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 박막 상부에 제1 진성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 진성 반도체층 상부에 제1 n-형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 n-형 반도체층 상부에 제2 무기 태양전지 유닛을 형성하는 단계;상기 제2 무기 태양전지 유닛 상부에 중간 전극층을 형성하는 단계; 및상기 중간 전극층 상부에 유기 태양전지 유닛을 형성하는 단계를 포함하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 박막은 3 내지 5 nm의 두께로 형성되고,상기 제2 박막은 5 내지 7 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층은 80 내지 150 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 무기 태양전지 유닛을 형성하는 단계는,상기 제1 n-형 반도체층 상부에 제2 p-형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 p-형 반도체층 상부에 제2 진성 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 진성 반도체층 상부에 제2 n-형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 p-형 반도체층은 상기 제1 n-형 반도체층 상부에 p-형 불순물이 도핑된 아몰포스(amorphous) 수소화 실리콘(a-Si:H) 또는 미세결정 수소화 실리콘(μc-Si:H or nc-Si:H)을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층은 진성 아몰포스 수소화 실리콘 또는 진성 아몰포스 수소화 실리콘 산화물로 이루어지고,상기 제2 진성 반도체층은 게르마늄이 도핑된 수소화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 제1 n-형 반도체층에 도핑된 n-형 불순물의 농도는 상기 제2 n-형 반도체층보다 높은 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
8 8
제4항에 있어서, 상기 제2 p-형 반도체층에 도핑된 p-형 불순물의 농도는 상기 제1 p-형 반도체층보다 높은 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제2 p-형 반도체층은 p-형 불순물이 1 내지 3% 도핑된 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
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1 KR101465317 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육관리부 KIST 기초기술연구회 NAP 사업 2단계 비정실 실리콘계 텐덤 구조 태양전지용 a-Si 다중접합 광흡수층 제주기술 개발 연구