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미세 패턴을 갖는 전극 구조물 및 이의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015003996
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 네가티브 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트층을 프리 베이킹하고 UV광을 조사하여 네가티브 포토레지스트층을 경화시킨 다음, 투명전도성산화물을 스퍼터링하여 네가티브 포토레지스트층 상에 증착하여 불규칙적인 미세 패턴을 가진 투명전극층을 형성하는 미세 패턴을 갖는 전극 구조물 및 이의 제작 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020130079171 (2013.07.05)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1460771-0000 (2014.11.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이찬재 대한민국 서울 강남구
2 김민선 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김영민 대한민국 경기 광주시 경안로 ***,
4 윤범진 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0608384-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0038731-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0406497-01
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0780104-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0780105-55
7 등록결정서
Decision to grant
2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0712568-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 UV광 경화 수지층을 형성하는 단계; 및투명전도성산화물을 스퍼터링으로 상기 UV광 경화 수지층 상에 증착함으로써, X방향과 Y방향 모두에서 불규칙적인 미세 패턴을 가진 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 투명전극층을 형성하는 단계는 상기 투명전도성산화물을 스퍼터링 시에 증착압력을 0
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삭제
3 3
제1항에서,상기 UV광 경화 수지층을 이루는 UV광 경화 수지는 아크릴레이트, 에폭시, 노볼락 수지 중 하나인 네가티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 패턴을 갖는 전극 구조물의 제작 방법
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제3항에서,상기 투명전도성산화물은 ITO, zinc oxide, indium zinc oxide 중 하나인 것을 특징으로 하는 미세 패턴을 갖는 전극 구조물의 제작 방법
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제3항에서,상기 UV광 경화 수지층의 두께는 10nm 내지 1mm이고, 상기 투명전극층의 두께는 10nm 내지 10μm 범위 이내인 것을 특징으로 하는 미세 패턴을 갖는 전극 구조물의 제작 방법
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기판;기판 상에 형성된 UV광 경화 네가티브 포토레지스트층; 및상기 UV광 경화 네가티브 포토레지스트층 상에 형성된 투명전극층을 포함하며, 상기 투명전극층의 표면은 X방향과 Y방향 모두에서 불규칙적인 미세 패턴이 형성되어 있는 미세 패턴을 갖고,0
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통산자원부 네오뷰코오롱(주) 산업융합원천 주조명용 대면적 OLED 면광원 기술개발