기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조방법

기술번호 : KST2015004021
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 제1전극, P형층, 진성층, N형층 및 제2전극을 포함하는 태양전지를 제조함에 있어서, 수소(H2) 가스 및 실란(SiH4) 가스를 포함하는 혼합 가스를 사용하는 유도결합플라즈마 화학기상 증착 장치를 이용하여 수소화 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 상기 진성층을 형성하는 진성층 형성 단계를 포함하되, 상기 혼합 가스는 상기 수소 가스 및 실란 가스의 수소 가스 대 실란 가스 비(H2/SiH4 ratio)가 8 내지 10인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법이 제공된다. 태양전지
Int. CL	H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01)
CPC	C23C 16/22(2013.01) C23C 16/22(2013.01) C23C 16/22(2013.01) C23C 16/22(2013.01) C23C 16/22(2013.01) C23C 16/22(2013.01)
출원번호/일자	1020090101304 (2009.10.23)
출원인	한국생산기술연구원
등록번호/일자	10-1207582-0000 (2012.11.27)
공개번호/일자	10-2010-0094326 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자	(20121205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020090013059 \| 2009.02.17 대한민국 \| 1020090013195 \| 2009.02.18 대한민국 \| 1020090013204 \| 2009.02.18
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호	1020110135801;1020110135802;
심사청구여부/일자	Y (2009.10.23)
심사청구항수	7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국생산기술연구원	대한민국	충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	정채환	대한민국	광주광역시 광산구
2	이종호	대한민국	광주광역시 광산구
3	김호성	대한민국	광주광역시 북구
4	부성재	대한민국	광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서만규	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2	서경민	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	대한민국(산업통상자원부장관)		세종특별자치시 한누리대

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.10.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0651144-71
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2010-0047730-37
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.08.30	수리 (Accepted)	4-1-2010-5161401-06
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0596209-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999751-95
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.12.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0999752-30
8	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999682-32
9	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999680-41
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.02	수리 (Accepted)	4-1-2012-5068733-13
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090658-47
12	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.05.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0285507-40
13	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0565797-17
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2012-0565796-61
15	등록결정서 Decision to grant	2012.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0682971-68
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2013-5017806-08
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.01.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5006834-98
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5123030-77

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제1전극, 제1형층, 진성층, 제2형층 및 제2전극을 포함하는 태양전지를 제조함에 있어서,수소(H2) 가스 및 실란(SiH4) 가스를 포함하는 혼합 가스를 사용하는 유도결합플라즈마 화학기상 증착 장치를 이용하여 수소화 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 상기 진성층을 형성하는 진성층 형성 단계를 포함하되,상기 혼합 가스는 상기 수소 가스 및 실란 가스의 수소 가스 대 실란 가스 비(H2/SiH4 ratio)가 8 내지 10인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 진성층 형성 단계는 공정 압력이 70 내지 90mtorr이고, 공정 파워가 200 내지 300W이며, 공정 온도는 250 내지 350도인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 태양전지 제조 방법:은상기 진성층 형성 단계 이전에,제1형 실리콘 기판을 준비하는 제1형 실리콘 기판 준비 단계; 및상기 제1형 실리콘 기판의 후면에 상기 제1전극을 형성하는 제1전극 형성 단계;를 포함하며,상기 진성층 형성 단계 이후에,상기 진성층 상에 제2형층을 형성하는 제2형 형성 단계; 및상기 제2형층 상에 제2전극을 형성하는 제2전극 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 제1전극은 Ag로 이루어지며,상기 제2형층은 수소화 제2형 비정질 실리콘층으로 이루어지며,상기 제2전극은 상기 제2형층 상에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 형성된 패턴화된 알루미늄 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 태양전지 제조 방법:은상기 진성층 형성 단계 이전에, 투명 기판을 준비하는 투명 기판 준비 단계;상기 투명 기판 상에 상기 제1전극을 형성하는 제1전극 형성 단계; 및상기 제1전극 상에 상기 제2형층을 형성하는 제2형층 형성 단계;를 포함하며,상기 진성층 형성 단계 이후에,상기 진성층 상에 상기 제1형층을 형성하는 제1형층 형성 단계; 및상기 제1형층 상에 상기 제2전극을 형성하는 제2전극 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제2형층 형성 단계와 상기 진성층 형성 단계 사이에,버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계를 포함하며,상기 제1형층 형성 단계와 상기 제2전극 형성 단계 사이에,상기 제1형층 상에 투명전극층을 형성하는 투명전극층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제1전극은 TCO(transparent conducting oxide)층으로 이루어지며, 상기 제2전극은 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
8	8 삭제
9	9 삭제
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 삭제
14	14 삭제
15	15 삭제
16	16 삭제
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 삭제
22	22 삭제

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP02219230	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	EP02219230	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	JP05476644	JP	일본	FAMILY
4	JP05835700	JP	일본	FAMILY
5	JP22192869	JP	일본	FAMILY
6	JP24134541	JP	일본	FAMILY
7	JP24146994	JP	일본	FAMILY
8	JP26195101	JP	일본	FAMILY
9	KR101122656	KR	대한민국	FAMILY
10	KR101215631	KR	대한민국	FAMILY
11	US08268714	US	미국	FAMILY
12	US08283245	US	미국	FAMILY
13	US08304336	US	미국	FAMILY
14	US20100210061	US	미국	FAMILY
15	US20120077303	US	미국	FAMILY
16	US20120077306	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2010192869	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	JP2012134541	JP	일본	DOCDBFAMILY
3	JP2012146994	JP	일본	DOCDBFAMILY
4	JP2014195101	JP	일본	DOCDBFAMILY
5	JP5476644	JP	일본	DOCDBFAMILY
6	JP5835700	JP	일본	DOCDBFAMILY
7	KR101122656	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
8	KR101215631	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
9	KR20120002961	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
10	KR20120002962	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
11	US2010210061	US	미국	DOCDBFAMILY
12	US8304336	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1207582-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091023 출원 번호 : 1020090101304 공고 연월일 : 20121205 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121113 청구범위의 항수 : 7 유별 : C23C 16/513 발명의 명칭 : 유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구...
2	(의무자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구...
2	(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	159,000 원	2012년 11월 28일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2015년 11월 13일	납입
제 5 년분	금 액	135,800 원	2016년 11월 21일	납입
제 6 - 17 년분	금 액	0 원	2017년 08월 03일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.10.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0651144-71
2	선행기술조사의뢰서	2010.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2010.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2010-0047730-37
4	출원인정보변경(경정)신고서	2010.08.30	수리 (Accepted)	4-1-2010-5161401-06
5	의견제출통지서	2011.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0596209-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999751-95
7	[명세서등 보정]보정서	2011.12.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0999752-30
8	[분할출원]특허출원서	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999682-32
9	[분할출원]특허출원서	2011.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2011-0999680-41
10	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.02	수리 (Accepted)	4-1-2012-5068733-13
11	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090658-47
12	의견제출통지서	2012.05.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0285507-40
13	[명세서등 보정]보정서	2012.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0565797-17
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2012-0565796-61
15	등록결정서	2012.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0682971-68
16	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2013-5017806-08
17	출원인정보변경(경정)신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5006834-98
18	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5123030-77


기술번호	KST2015004021
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국생산기술연구원
기술명	유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조방법
기술개요	본 발명은 유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 제1전극, P형층, 진성층, N형층 및 제2전극을 포함하는 태양전지를 제조함에 있어서, 수소(H2) 가스 및 실란(SiH4) 가스를 포함하는 혼합 가스를 사용하는 유도결합플라즈마 화학기상 증착 장치를 이용하여 수소화 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 상기 진성층을 형성하는 진성층 형성 단계를 포함하되, 상기 혼합 가스는 상기 수소 가스 및 실란 가스의 수소 가스 대 실란 가스 비(H2/SiH4 ratio)가 8 내지 10인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법이 제공된다. 태양전지
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	전지 분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014052777][한국생산기술연구원]	냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러와 반도체 칠링 방법 및 반도체 칠러의 운전 방법	새창보기
[KST2015149813][한국생산기술연구원]	샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비	새창보기
[KST2015149380][한국생산기술연구원]	다층 샤워헤드 및 그 밀봉방법	새창보기
[KST2015149243][한국생산기술연구원]	온도균일도가 향상된 서셉터	새창보기
[KST2015149344][한국생산기술연구원]	확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체	새창보기
[KST2015149146][한국생산기술연구원]	기판 가열용 히터	새창보기
[KST2014034739][한국생산기술연구원]	저온 선택적 원자층 형성 공정을 이용한 유연성 기판용 투명전도막 형성방법	새창보기
[KST2015148623][한국생산기술연구원]	극미세 진공박막장비의 판막제어 기구	새창보기
[KST2014050045][한국생산기술연구원]	다원계 화합물 증착용 샤워헤드	새창보기
[KST2014010029][한국생산기술연구원]	마찰계수 저감을 위한 바이어스 포스트 플라즈마 질화방법	새창보기
[KST2015225952][한국생산기술연구원]	액상 전구체 공급장치(Liquid Precursor Delivery System)	새창보기
[KST2014064728][한국생산기술연구원]	다층 샤워헤드 및 그 밀봉방법	새창보기
[KST2014034705][한국생산기술연구원]	유도가열을 이용한 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링 장치 및 이를 이용한 필링방법	새창보기
[KST2015149460][한국생산기술연구원]	박막 합성 장치	새창보기
[KST2014034801][한국생산기술연구원]	고융점 희유금속의 저온 소결 방법 및 이를 이용하여 제조되는 고융점 희유금속 성형체	새창보기
[KST2015225796][한국생산기술연구원]	정렬판을 구비한 샤워헤드(A showerhead with align plate)	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.