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금속을 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응물질용액(Reactant Solution)을 제조하는 단계;상기 금속을 산화시키는 산화제를 포함하는 산화용액(Oxidizing Solution)을 준비하는 단계; 상기 반응물질용액 및 상기 산화용액을 플레이팅 챔버(Plating Chamber) 내로 유입하는 단계; 및상기 플레이팅 챔버 내에 제공된 기판(Substrate) 상에 상기 금속의 산화물층을 플레이팅하는 단계를 포함하고,상기 반응물질용액 또는 산화용액의 유량을 조절하는 단계를 더 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 염화물은 염화니켈, 염화망간, 염화코발트 및 염화구리를 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응물질용액은 착이온을 생성하는 착화제를 더 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화용액은 아질산 나트륨(NaNO2) 또는 과산화수소(H2O2)를 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화용액의 유량은 100 내지 125ml/h인 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응물질용액과 산화용액을 플레이팅 챔버 내로 유입하기 전에 상기 반응물질용액과 산화용액을 혼합하는 단계를 더 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 큐빅 스피넬(Cubic Spinel) 결정상을 포함하고,[(Ni,Mn,Co)1-xCux]O4의 조성을 갖는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속의 산화물층을 플레이팅한 후에 잔류하는 반응물질용액과 산화용액이 상기 플레이팅 챔버 밖으로 배출되는 단계를 더 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물 저항 박막을 산화 분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 산화물 저항 박막 제조방법
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신호처리 회로가 형성된 기판;상기 기판에 이격되어 형성되는 청구항 1 내지 청구항 4, 및 청구항 6 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 산화물 저항 박막; 및상기 기판과 산화물 저항 박막을 연결하여 지지하는 지지부재를 포함하는 볼로미터
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청구항 11에 있어서,상기 지지부재는 기판과 산화물 저항 박막을 전기적으로 연결하는 전도층을 포함하는 볼로미터
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청구항 11에 있어서,상기 기판과 산화물 저항 박막 사이에 적외선 반사층을 더 포함하는 볼로미터
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청구항 13에 있어서,상기 적외선 반사층은 상기 기판의 상부면 또는 상기 산화물 저항 박막의 하부면에 형성되는 볼로미터
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청구항 11에 있어서,상기 산화물 저항 박막 상에 적외선 반사방지층을 더 포함하는 볼로미터
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