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금속 원소를 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응용액(Reaction Solution)을 제조하는 제1단계;상기 금속을 산화시키는 산화제와 pH를 조정하는 pH 조절제를 포함하는 산화용액(Oxidizing Solution)을 준비하는 제2단계;기판(Substrate) 상에 상기 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는 제3단계; 및상기 제3단계 분무를 통해 기판 상에 산화물 박막을 증착시키는 제4단계를 포함하고,상기 산화용액은 용액을 안정화시키는 용액안정화제 또는 pH가 급격히 변하는 것을 완충하는 pH 완충제를 더 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 염화물은 염화니켈, 염화코발트, 염화망간 및 염화구리를 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화용액의 pH가 8 내지 11인 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 회전 기판지지대에 고정되어 회전하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응용액과 산화용액의 평균 pH가 6
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청구항 1에 있어서,상기 제3단계는 상기 반응용액과 산화용액을 동시에 분무하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물 박막은 스피넬(Spinel) 결정상을 포함하고,[(Ni,Co,Mn)1-xCux]3O4 (여기서, x는 0
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청구항 1에 있어서,상기 증착은 5 내지 10분 동안 수행되는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제4단계 이후에 상기 산화물 박막을 산화 분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 후속 열처리는 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
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신호처리 회로가 형성된 기판;상기 기판에 이격되어 형성되는 청구항 1 내지 청구항 2, 및 청구항 4 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 저항 박막; 및상기 기판과 저항 박막을 연결하여 지지하는 지지부재를 포함하는 볼로미터
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청구항 12에 있어서,상기 지지부재는 기판과 저항 박막을 전기적으로 연결하는 전도층을 포함하는 볼로미터
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청구항 12에 있어서,상기 기판과 저항 박막 사이에 적외선 반사층을 더 포함하는 볼로미터
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청구항 14에 있어서,상기 적외선 반사층은 상기 기판의 상부면 또는 상기 저항 박막의 하부면에 형성되는 볼로미터
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청구항 12에 있어서,상기 저항 박막 상에 형성되는 적외선 반사방지층을 더 포함하는 볼로미터
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