1 |
1
(a) 층 수 별로 정의된 기준 그래핀을 준비하는 단계;(b) 상기 기준 그래핀에 대하여 XRD 측정을 수행하여 특정 밀러지수를 갖는 그래핀 결정면의 회절 피크를 얻어내는 단계; 및(c) 상기 밀러지수를 갖는 그래핀 결정면의 회절 피크들로부터 FWHM(full width at half maximum) 및 층간간격을 포함한 그래핀 두께에 대한 유효정보를 도출하는 단계; 를 포함하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
2 |
2
제1항에서,상기 (a)단계는 단층 그래핀을 적층하여 층 수 별로 정의된 기준 그래핀을 수득하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
3 |
3
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시, X선 조사각 설정 전에 특정 밀러지수를 갖는 결정면의 록킹커브(rocking curve)를 우선 측정하여 배향성을 확인하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
4 |
4
제3항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시, X선 조사각을 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
5 |
5
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시 GI SAXS 측정방법을 수행하여, 밀러지수가 (002)인 결정면을 제외한 나머지 결정면의 회절 피크를 얻는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
6 |
6
제5항에서,상기 (b)단계는 평행빔 X선 광학기(Parallel beam X-ray optics)를 이용하여 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
7 |
7
제6항에서,상기 (b)단계의 XRD 측정은 2theta(쎄타)-ω(오메가) 모드에 의한 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
8 |
8
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시 밀러지수가 (002)인 결정면의 회절 피크를 얻어내는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
9 |
9
제8항에서,상기 (b)단계는 평행빔 X선 광학기(Parallel beam X-ray optics)를 이용하여 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
10 |
10
제9항에서,상기 (b)단계의 XRD 측정은 2theta(쎄타)-ω(오메가) 모드에 의한 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
11 |
11
제8항에서,상기 (c)단계는 가우시안 함수(Gaussian Function) 또는 로렌찌안 함수(Lorentian Function)를 이용하여 상기 기준 그래핀의 층 수 별 피크에 대한 피크 피팅을 수행하여 상기 유효정보를 도출하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
12 |
12
제8항에서,상기 (c)단계는 하기 [층간간격 도출식]에 의해 기준 그래핀의 층간간격(d002)을 도출하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
13 |
13
제8항에서,상기 (b)단계는 XRD 측정시, X선 조사각 설정 전에 밀러지수 (002)를 갖는 그래핀 결정면의 록킹커브(rocking curve)를 우선 측정하여 배향성을 확인하고, 상기 X선 조사각을 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
14 |
14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,(d) 상기 유효정보에 기초하여 검량선을 작성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
|
15 |
15
(A) 분석대상 나노박막에 대하여 XRD 측정을 수행하는 단계; 및(B) 상기 XRD 측정 결과를 제14항의 그래핀 레퍼런스 도출 방법에 따라 작성된 검량선과 대비하여 상기 분석대상 나노박막의 두께를 포함하는 데이터를 측정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|
16 |
16
제15항에서,상기 (A)단계의 분석대상 나노박막은 그래핀막이고,상기 (B)단계의 데이터는 분석대상 그래핀막의 그래핀 층 수 및 두께를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|
17 |
17
제16항에서,상기 (B)단계의 검량선은 상기 기준 그래핀의 층 수 별 FWHM이 하기 [도출범위]에 부합하는 조건에서 작성된 것으로서, 상기 분석대상 그래핀막의 그래핀 층 수를 측정할 때, 밀러지수가 (002)인 그래핀 결정면의 회절 피크가 관찰되는 경우 상기 검량선과 대비하여 그래핀 층 수를 도출하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|
18 |
18
제16항에서,상기 (B)단계는 하기 [그래핀 두께 산출식 1]에 의해 분석대상 그래핀막의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|
19 |
19
제16항에서,상기 (B)단계는 하기 [그래핀 두께 산출식 2]에 의해 분석대상 그래핀막의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|
20 |
20
제16항에서,상기 (B)단계의 검량선은 기준 그래핀의 층 수 별 FWHM을 y축으로 하고, 상기 기준 그래핀의 두께(D)로부터 구한 그래핀 두께의 역수(1/D)를 x축으로 하여 얻어낸 직선의 기울기 14~40, y절편 -2~2 조건이 충족되는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
|