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그래핀 레퍼런스 도출 방법 및 이를 이용한 나노박막 분석 방법

  • 기술번호 : KST2015004149
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 분석 방법에 관한 것으로서, 현재까지 난제로 남아있고 이론적 접근만 가능하였던 원자-분자-나노단위의 초미세 두께를 갖는 그래핀 두께를 층 수 단위로 정확히 측정하고 결정하는 방법에 대한 기술과, 여기서 얻어진 데이터를 기준으로 하여 미지 그래핀 시료들의 두께(층 수), 나노박막들의 두께, 나노결정립들의 크기(평균치, 분포 등)를 알아내는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 「(a) 층 수 별로 정의된 그래핀에 대하여 XRD 측정을 수행하여 (002) 회절 피크를 얻어내는 단계; 및 (b) 상기 그래핀 층 수 별 (002) 피크들로부터 FWHM(full width at half maximum) 및 층간간격(d002)을 포함한 그래핀 두께에 대한 유효정보를 도출하는 단계; 를 포함하는 그래핀 분석 방법」을 제공한다.
Int. CL G01B 15/02 (2006.01) G01N 23/00 (2006.01)
CPC G01B 15/02(2013.01) G01B 15/02(2013.01) G01B 15/02(2013.01) G01B 15/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140039101 (2014.04.02)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1494359-0000 (2015.02.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.02)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0315490-23
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0886175-93
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.09.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.09.28 수리 (Accepted) 9-1-2014-0076758-22
5 등록결정서
Decision to grant
2015.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0039768-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 층 수 별로 정의된 기준 그래핀을 준비하는 단계;(b) 상기 기준 그래핀에 대하여 XRD 측정을 수행하여 특정 밀러지수를 갖는 그래핀 결정면의 회절 피크를 얻어내는 단계; 및(c) 상기 밀러지수를 갖는 그래핀 결정면의 회절 피크들로부터 FWHM(full width at half maximum) 및 층간간격을 포함한 그래핀 두께에 대한 유효정보를 도출하는 단계; 를 포함하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
2 2
제1항에서,상기 (a)단계는 단층 그래핀을 적층하여 층 수 별로 정의된 기준 그래핀을 수득하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
3 3
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시, X선 조사각 설정 전에 특정 밀러지수를 갖는 결정면의 록킹커브(rocking curve)를 우선 측정하여 배향성을 확인하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
4 4
제3항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시, X선 조사각을 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
5 5
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시 GI SAXS 측정방법을 수행하여, 밀러지수가 (002)인 결정면을 제외한 나머지 결정면의 회절 피크를 얻는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
6 6
제5항에서,상기 (b)단계는 평행빔 X선 광학기(Parallel beam X-ray optics)를 이용하여 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
7 7
제6항에서,상기 (b)단계의 XRD 측정은 2theta(쎄타)-ω(오메가) 모드에 의한 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
8 8
제1항에서,상기 (b)단계는 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정시 밀러지수가 (002)인 결정면의 회절 피크를 얻어내는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
9 9
제8항에서,상기 (b)단계는 평행빔 X선 광학기(Parallel beam X-ray optics)를 이용하여 상기 기준 그래핀에 대한 XRD 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
10 10
제9항에서,상기 (b)단계의 XRD 측정은 2theta(쎄타)-ω(오메가) 모드에 의한 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
11 11
제8항에서,상기 (c)단계는 가우시안 함수(Gaussian Function) 또는 로렌찌안 함수(Lorentian Function)를 이용하여 상기 기준 그래핀의 층 수 별 피크에 대한 피크 피팅을 수행하여 상기 유효정보를 도출하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
12 12
제8항에서,상기 (c)단계는 하기 [층간간격 도출식]에 의해 기준 그래핀의 층간간격(d002)을 도출하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
13 13
제8항에서,상기 (b)단계는 XRD 측정시, X선 조사각 설정 전에 밀러지수 (002)를 갖는 그래핀 결정면의 록킹커브(rocking curve)를 우선 측정하여 배향성을 확인하고, 상기 X선 조사각을 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
14 14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,(d) 상기 유효정보에 기초하여 검량선을 작성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 레퍼런스 도출 방법
15 15
(A) 분석대상 나노박막에 대하여 XRD 측정을 수행하는 단계; 및(B) 상기 XRD 측정 결과를 제14항의 그래핀 레퍼런스 도출 방법에 따라 작성된 검량선과 대비하여 상기 분석대상 나노박막의 두께를 포함하는 데이터를 측정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
16 16
제15항에서,상기 (A)단계의 분석대상 나노박막은 그래핀막이고,상기 (B)단계의 데이터는 분석대상 그래핀막의 그래핀 층 수 및 두께를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
17 17
제16항에서,상기 (B)단계의 검량선은 상기 기준 그래핀의 층 수 별 FWHM이 하기 [도출범위]에 부합하는 조건에서 작성된 것으로서, 상기 분석대상 그래핀막의 그래핀 층 수를 측정할 때, 밀러지수가 (002)인 그래핀 결정면의 회절 피크가 관찰되는 경우 상기 검량선과 대비하여 그래핀 층 수를 도출하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
18 18
제16항에서,상기 (B)단계는 하기 [그래핀 두께 산출식 1]에 의해 분석대상 그래핀막의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
19 19
제16항에서,상기 (B)단계는 하기 [그래핀 두께 산출식 2]에 의해 분석대상 그래핀막의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
20 20
제16항에서,상기 (B)단계의 검량선은 기준 그래핀의 층 수 별 FWHM을 y축으로 하고, 상기 기준 그래핀의 두께(D)로부터 구한 그래핀 두께의 역수(1/D)를 x축으로 하여 얻어낸 직선의 기울기 14~40, y절편 -2~2 조건이 충족되는 것을 특징으로 하는 나노박막 분석 방법
지정국 정보가 없습니다
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2 KR101635854 KR 대한민국 FAMILY
3 KR1020150139432 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2015152483 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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