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X선 분석 장치 및 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 분석방법

  • 기술번호 : KST2015004150
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 분석 방법에 관한 것으로서, 현재까지 난제로 남아있고 이론적 접근만 가능하였던 원자-분자-나노단위의 초미세 두께를 갖는 그래핀 두께를 층 수 단위로 정확히 측정하고 결정하는 방법에 대한 기술과, 여기서 얻어진 데이터를 기준으로 하여 미지 그래핀 시료들의 두께(층 수), 나노박막들의 두께, 나노결정립들의 크기(평균치, 분포 등)를 알아내는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 「(a) 층 수 별로 정의된 그래핀에 대하여 XRD 측정을 수행하여 (002) 회절 피크를 얻어내는 단계; 및 (b) 상기 그래핀 층 수 별 (002) 피크들로부터 FWHM(full width at half maximum) 및 층간간격(d002)을 포함한 그래핀 두께에 대한 유효정보를 도출하는 단계; 를 포함하는 그래핀 분석 방법」을 제공한다.
Int. CL G01N 23/02 (2006.01) G01N 1/36 (2006.01) G01N 1/44 (2006.01) G01N 23/00 (2006.01) G01N 23/20 (2006.01)
CPC G01N 23/207(2013.01) G01N 23/207(2013.01) G01N 23/207(2013.01) G01N 23/207(2013.01) G01N 23/207(2013.01)
출원번호/일자 1020140066946 (2014.06.02)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1538037-0000 (2015.07.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020150068883;
심사청구여부/일자 Y (2014.06.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0520676-72
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0886191-13
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.09.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.09.28 수리 (Accepted) 9-1-2014-0076757-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0688474-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1185824-42
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0012472-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0130840-17
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0130852-54
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0179816-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2015.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0473319-30
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0472748-35
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0472737-33
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0441551-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
온도조건 278~328°K 및 습도조건 70% 미만으로 제어되며 그래핀 시편이 안치되는 챔버;상기 챔버 내 그래핀 시편에 X선을 조사하되 종방향과 횡방향으로 원심회전하도록 구성된 평행빔 X선 조사장치;종방향과 횡방향으로 원심회전하도록 구성되어 상기 챔버 내 그래핀 시편을 투과하거나 상기 챔버 내 그래핀 시편에 부딛혀 반사 또는 회절하는 X선을 검출하는 검출장치; 및상기 챔버 내 그래핀 시편을 3축(x-y-z축)으로 축회전시킬 수 있는 시편고정대;를 포함하여 구성되는 X선 분석 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에서,상기 챔버 내 그래핀 시편에 열을 가하는 열처리장치가 구비된 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치
6 6
제1항에서,상기 챔버 내 그래핀 시편에 수분을 가하는 가습장치가 구비된 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치
7 7
(a) 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항의 X선 분석 장치를 준비하는 단계;(b) 상기 챔버에 층수 1~10층, 크기 0
8 8
제7항에서,상기 (c)단계의 X선 조사각 및 검출장치의 배치는 2θ(쎄타)-ω(오메가) 방법으로 설정하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 분석방법
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제8항에서,상기 (c)단계는 상기 그래핀 시편에 조사되는 X선의 각도를 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 분석방법
10 10
제8항에서,상기 (c)단계에서 상기 검출장치는 상기 그래핀 시편을 기준으로 하기 [검출각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설치하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 분석방법
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4 WO2015152483 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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