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전기화학과 초음파를 이용한 나노입자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015004347
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 템플릿이나 계면활성제를 사용하지 않은 나노 구조체의 제조 및 회수방법을 위하여, 전도성 기판 상에 전해도금을 이용하여 나노 구조체를 형성하는 단계, 상기 나노 구조체가 형성된 전도성 기판을 용액에 침지시키는 단계, 상기 나노 구조체가 형성된 전도성 기판이 침지된 용액을 음파처리(sonication)하여, 상기 나노 구조체를 상기 전도성 기판으로부터 상기 용액 내로 분리하는 단계 및 상기 용액 내에 분리된 상기 나노 구조체를 분리 장치를 이용하여 회수하는 단계를 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법을 제공한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) C01B 31/00 (2006.01)
CPC C25D 3/46(2013.01) C25D 3/46(2013.01) C25D 3/46(2013.01)
출원번호/일자 1020140108511 (2014.08.20)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0022664 (2016.03.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송재용 대한민국 대전광역시 유성구
2 박현민 대한민국 서울특별시 서초구
3 박선화 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0789387-67
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0790816-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0045620-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0563759-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0839523-22
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0839522-87
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0074513-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판 상에 전해도금을 이용하여 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 나노 구조체가 형성된 전도성 기판을 용액에 침지시키는 단계;상기 나노 구조체가 형성된 전도성 기판이 침지된 용액을 음파처리(sonication)하여, 상기 나노 구조체를 상기 전도성 기판으로부터 상기 용액 내로 분리하는 단계; 및상기 용액 내에 분리된 상기 나노 구조체를 분리 장치를 이용하여 회수하는 단계;를 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 기판은, 도핑된 실리콘 기판 또는 스테인리스 스틸을 포함하고, 상기 나노 구조체는 은(Ag) 나노 구조체를 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 용액은 탈이온수(DI water) 또는 에탄올(ethanol)을 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 기판 상에 전해도금을 이용하여 나노 구조체를 형성하는 단계는,나노 구조체 형성 대상 물질을 포함하는 전해 용액을 준비하는 단계;상기 전해 용액 내에 전도성 기판을 침지하는 단계;상기 나노 구조체 형성 대상 물질을 상기 전도성 기판에 증착시켜 나노 구조체를 형성하도록, 상기 전도성 기판에 전자를 제공하는 환원 전압을 인가하는 단계; 및상기 전도성 기판에 증착된 상기 나노 구조체의 일부 또는 전부를 용해시키도록, 상기 전도성 기판에 전자를 제거하는 산화 전압을 인가하는 단계;를 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 환원 전압은 -3 V 내지 -20 V 범위인 것을 특징으로 하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 산화 전압은 0
7 7
제 4 항에 있어서,상기 전해 용액은 0
8 8
제 1 항에 있어서,상기 분리 장치는 원심분리기를 포함하는, 나노 구조체의 제조 및 회수방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 (KIST) 융합 실용화 연구사업 고전압 대면적 플렉시블 리튬이차전지 개발