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음식물 퇴비를 포함하는 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배용 배지 조성물에 있어서,상기 배지 조성물은 톱밥 84중량%, 미강 4중량%, 비트펄프 4중량% 및 면실피 8중량%를 혼합한 배지 100중량%를 기준으로 음식물 퇴비를 13중량% 포함하며,상기 배지 조성물의 C/N비가 301인 것을 특징으로 하는, 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배용 배지 조성물
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음식물 퇴비를 포함하는 녹각영지버섯 재배용 배지 조성물에 있어서,상기 배지 조성물은 톱밥과 미강을 8:2의 중량비로 혼합한 배지 100중량%를 기준으로 음식물 퇴비를 11중량%를 포함하며,상기 배지 조성물의 C/N비는 16
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음식물 퇴비를 포함하는 큰송이버섯 재배용 배지 조성물에 있어서,상기 배지 조성물은 볏집, 사탕수수 및 계분퇴비를 함유하는 배지 100중량%를 기준으로 음식물 퇴비 30 내지 40중량%를 포함하며, 상기 음식물 퇴비의 C/N비는 91
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제1항의 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배용 배지 조성물, 제3항의 녹각영지버섯 재배용 조성물 및 제4항의 큰송이버섯 재배용 배지 조성물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 배지 조성물의 수분 함량을 조절하는 단계;상기 수분 함량이 조절된 배지 조성물을 살균하는 단계;상기 살균된 배지 조성물에 버섯 균주를 접종한 후 균사체를 배양하는 단계; 및 상기 배양된 균사체를 자실체로 생육시키는 단계를 포함하는 녹각영지버섯, 큰송이버섯, 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배 방법
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제5항에 있어서,상기 녹각영지버섯 재배 방법은 제3항의 녹각영지버섯 재배용 배지 조성물을 수분 함량이 60 내지 65%로 되도록 조절하는 단계; 상기 수분 함량이 조절된 배지 조성물을 110℃ 내지 130℃에서 고압 살균하는 단계; 상기 살균된 배지 조성물에 녹각영지버섯 종균을 접종한 후 20℃ 내지 25℃의 온도 조건에서 균사체를 배양하는 단계; 및 상기 배양된 균사체를 25℃ 내지 30℃의 온도 조건에서 자실체로 생육시키는 단계를 포함하는 녹각영지버섯 재배 방법
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제5항에 있어서,상기 큰송이버섯 재배 방법은 제4항의 큰송이버섯 재배용 배지 조성물을 수분 함량이 60 내지 70%로 되도록 조절하는 단계; 상기 수분 함량이 조절된 배지 조성물을 60℃에서 10시간 내지 15시간을 유지한 후 25℃까지 온도를 서서히 낮춰 살균하는 단계; 상기 살균된 배지 조성물에 큰송이버섯 종균을 접종한 후 균사체를 배양하는 단계; 및 상기 배양된 균사체를 자실체로 생육시키는 단계를 포함하는 녹각영지버섯 재배 방법
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제5항에 있어서,상기 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배 방법은 제1항의 표고버섯 또는 검은비늘버섯 재배용 배지 조성물을 수분 함량이 65 내지 70%로 되도록 조절하는 단계; 상기 수분 함량이 조절된 배지 조성물을 110℃ 내지 130℃에서 고압 살균하는 단계; 상기 살균된 배지 조성물에 표고버섯 또는 검은비늘버섯 종균을 접종한 후 17℃ 내지 20℃의 온도 조건에서 균사체를 배양하는 단계; 및 상기 배양된 균사체를 17℃ 내지 20℃의 온도 조건에서 자실체로 생육시키는 단계를 포함하는 녹각영지버섯 재배 방법
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