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자성을 갖는 투명한 기판;상기 기판 상부에 적층되는 그래핀층;상기 그래핀층의 상부에 서로 이격되게 형성되는 캐소드 전극 및 애노드 전극을 포함하되,상기 캐소드 전극은 상기 애노드 전극보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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제1항에 있어서,상기 캐소드 전극과 애노드 전극으로부터 그래핀층을 이격시키는 절연층을 더 포함하여 구성되는 그래핀 태양전지
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자성을 갖는 투명한 기판;상기 기판 상부에 적층되는 제1그래핀층;상기 제1그래핀층의 상부에 적층되는 절연층;상기 절연층의 상부에 서로 분리되어 적층되는 제2그래핀층 및 제3그래핀층;상기 제2그래핀층의 상부에 형성되는 캐소드 전극;제3그래핀층의 상부에 형성되는 애노드 전극을 포함하되,상기 캐소드 전극은 상기 애노드 전극보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 절연층에서는 전자 및 홀의 양자 투과 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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5
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 절연층은 1 내지 5㎜의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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6
제3항에 있어서,상기 제2그래핀층은 n형으로 도핑되고, 상기 제3그래핀층은 p형으로 도핑된 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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7
자성을 갖는 투명한 n형 반도체;상기 n형 반도체 상부에 적층되는 그래핀층;상기 그래핀층의 상부에 형성되는 p형 반도체;상기 n형 반도체에 연결되는 캐소드 전극;상기 p형 반도체에 연결되는 애노드 전극을 포함하되,상기 n형 반도체는 상기 p형 반도체보다 넓은 밴드 갭을 갖고,상기 캐소드 전극은 상기 애노드 전극보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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제7항에 있어서,상기 그래핀 태양전지의 개방전압은 상기 n형 반도체와 상기 p형 반도체의 에너지 밴드 갭에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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제8항에 있어서,상기 그래핀 태양전지의 개방전압은, (와 는 n형 반도체 및 p형 반도체의 페르미 준위, e는 전자 1개의 전하량)을 만족하는 것을 특징으로 하는 그래핀 태양전지
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