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입사되는 광의 일부를 투과시키고 나머지 광은 반사시키는 반사편광판; 상기 반사편광판으로 입사되는 광의 위상을 지연시키는 사분파장 위상지연층; 및 상기 반사편광판과 사분파장 위상지연층 사이에 형성되는 이분파장 위상지연층을 포함하고,상기 이분파장 위상지연층의 지상축은 6° 내지 24°이고, 상기 사분파장 위상지연층의 지상축은 56°내지 94°이고, 430nm 내지 730nm 파장대 광의 투과율은 45%이상인 편광부재
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제1항에 있어서, 상기 반사편광판은 P파는 통과시키고 S파는 반사시키며, 반사된 S파는 상기 사분파장 위상지연층과 이분파장 위상지연층을 통과하면서 원형편광으로 변환되는 편광부재
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입사되는 광의 위상을 지연시키는 제1위상지연층과, 상기 제1위상지연층상에 형성되는 제2위상지연층, 및 상기 제2위상지연층상에 형성되는 제3위상지연층을 포함하는 위상지연소자; 및상기 위상지연소자에서 방출된 광이 입사되는 반사편광판을 포함하고,상기 제1위상지연층은 100 내지 155nm의 위상지연값을 갖고, 제2위상지연층은 130 내지 180nm의 위상지연값을 갖고, 제3위상지연층은 100 내지 190nm의 위상지연값을 갖고,430nm 내지 730nm 파장대 광의 투과율은 45%이상인 편광부재
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제5항에 있어서, 상기 반사편광판은 P파는 통과시키고 S파는 반사시키며, 반사된 S파는 상기 위상지연소자를 통과하면서 원형편광으로 변환되는 편광부재
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제5항에 있어서, 상기 제1위상지연층의 지상축은 1°내지 19°이고, 상기 제2위상지연층의 지상축은 60°내지 80°이고, 상기 제3위상지연층의 지상축은 70°내지 82°인 편광부재
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백라이트;상기 백라이트에서 출사되는 광이 입사되는 액정패널; 및상기 백라이트와 액정패널 사이에 배치되는 편광부재를 포함하고,상기 편광부재는, 입사되는 광의 일부를 투과시키고 나머지 광은 반사시키는 반사편광판; 상기 반사편광판으로 입사되는 광의 위상을 지연시키는 사분파장 위상지연층; 및 상기 반사편광판과 사분파장 위상지연층 사이에 형성되는 이분파장 위상지연층을 포함하고,상기 이분파장 위상지연층의 지상축은 6° 내지 24°이고, 상기 사분파장 위상지연층의 지상축은 56°내지 94°이고, 상기 편광부재를 통과하는 430nm 내지 730nm 파장대 광의 투과율은 45%이상인 액정표시장치
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제8항에 있어서, 상기 백라이트는 광원과, 상기 광원에서 출사되는 광이 입사되는 입사면과 출광면을 갖는 도광판을 포함하는 액정표시장치
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제11항에 있어서, 상기 반사편광판은 P파는 통과시키고 S파는 반사시키며, 반사된 S파는 상기 사분파장 위상지연층과 이분파장 위상지연층을 통과하면서 원편광으로 변환되어 상기 도광판에 입사되는 액정표시장치
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백라이트;상기 백라이트에서 출사되는 광이 입사되는 액정패널; 및상기 백라이트와 액정패널 사이에 배치되는 편광부재를 포함하고,상기 편광부재는, 입사되는 광의 위상을 지연시키는 제1위상지연층과, 상기 제1위상지연층상에 형성되는 제2위상지연층, 및 상기 제2위상지연층상에 형성되는 제3위상지연층을 포함하는 위상지연소자; 및상기 위상지연소자에서 방출된 광이 입사되는 반사편광판을 포함하고,상기 제1위상지연층은 100 내지 155nm의 위상지연값을 갖고, 제2위상지연층은 130 내지 180nm의 위상지연값을 갖고, 제3위상지연층은 100 내지 190nm의 위상지연값을 갖고,상기 편광부재를 통과하는 430nm 내지 730nm 파장대 광의 투과율은 45%이상인 액정표시장치
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제13항에 있어서, 상기 제1위상지연층의 지상축은 1°내지 19°이고, 상기 제2위상지연층의 지상축은 60°내지 80°이고, 상기 제3위상지연층의 지상축은 70°내지 82°인 액정표시장치
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제13항에 있어서, 상기 반사편광판은 P파는 통과시키고 S파는 반사시키며, 반사된 S파는 상기 위상지연소자를 통과하면서 원형편광으로 변환되는 액정표시장치
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