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기판;상기 기판 상에 적층된 투과 하부 전극;상기 투과 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층;상기 유기층 상에 적층된 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 적층된 유전체층; 및상기 유전체층 상에 적층된 반사층을 포함하고,상기 유전체층은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태를 포함하고,상기 유전체층의 굴절률은 높이에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제1 항에 있어서,상기 상부 전극과 접하는 상기 유전체층의 일면은 평면이고,상기 반사층과 접하는 상기 유전체층의 타면은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태를 가지고,상기 유전체층의 타면의 거칠기는 발광 중심 파장의 0
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기판;상기 기판 상에 적층된 투과 하부 전극;상기 투과 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층;상기 유기층 상에 적층된 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 적층된 유전체층; 및상기 유전체층 상에 적층된 반사층을 포함하고,상기 유전체층은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태를 포함하고,상기 유전체층은:제1 굴절률을 가지는 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층 상에 적층되고 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 가진 제2 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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기판;상기 기판 상에 적층된 투과 하부 전극;상기 투과 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층;상기 유기층 상에 적층된 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 적층된 유전체층; 및상기 유전체층 상에 적층된 반사층을 포함하고,상기 유전체층은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태를 포함하고,상기 유전체층은 CaFx, WOx, LiFx, ZnSx, CeOx, NbOx, TiOx, TaOx, SrTixOy, AlOx, ZrOx, SiCx, HgSx, GaPx, GaAsx, ZnOx,고분자유기물질, 및 이들의 조성물 중에서 적어도 하나를 포함하고, x, y는 몰 비율을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제1 항에 있어서,상기 상부 전극의 두께는 10 nm 내지 60 nm 인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제1 항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 100 nm 내지 600 nm인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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기판 상에 차례로 투명 하부 전극, 자체 발광하는 유기층, 및 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 상부 전극 상에 반사층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유전체층의 굴절률은 높이에 따라 감소하는 것을 특징으로 유기발광다이오드의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상부 전극과 접하는 상기 유전체층의 일면은 평면이고, 상기 반사층과 접하는 상기 유전체층의 타면은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태이고,상기 유전체층의 요철 형태 또는 다공질 형태는 상기 유전체층의 증착과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 유전체층은 진공열증착법, 전자빔 증착법, 또는 이온빔 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 유전체층은 CaFx, WOx, LiFx, ZnSx, CeOx, NbOx, TiOx, TaOx, SrTixOy, AlOx, ZrOx, SiCx, HgSx, GaPx, GaAsx, ZnOx,고분자유기물질, 및 이들의 조성물 중에서 적어도 하나를 포함하고, x, y는 몰 비율을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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