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유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015009432
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드를 제공한다. 이 유기발광다이오드는 기판, 기판 상에 적층된 반사 하부 전극, 반사 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층, 유기층 상에 적층된 상부 전극, 및 상부 전극 상에 적층된 유전체층을 포함하고, 유전체층은 랜덤한 요철 형태 또는 다공질 형태를 포함한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자 1020130059430 (2013.05.27)
출원인 순천향대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1501828-0000 (2015.03.05)
공개번호/일자 10-2014-0139172 (2014.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20150312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천향대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호년 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이평우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천향대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0463333-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008339-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0418346-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0716550-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0716575-55
7 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2014.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0050208-07
8 등록결정서
Decision to grant
2015.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0130843-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-0013703-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5248644-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 적층된 반사 하부 전극;상기 반사 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층;상기 유기층 상에 적층된 상부 전극; 및상기 상부 전극 상에 적층된 유전체층을 포함하고,상기 유전체층의 상부면은 다공질 형태를 포함하고,상기 유전체층의 다공질 형태는 상기 유전체층의 증착과 동시에 형성되고,상기 유전체층의 상부면의 거칠기는 발광 중심 파장의 0
2 2
제1 항에 있어서,상기 유전체층은 상기 상부 전극 상에 차례로 적층된 WO3 100% / WO3 75% + CaF2 25% / WO3 50% + CaF2 50% / WO3 25% + CaF2 75% / CaF2 100%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
기판 상에 차례로 반사 하부 전극, 자체 발광하는 유기층, 및 상부 전극을 형성하는 단계; 및상기 상부 전극 상에 유전체층을 증착하는 단계를 포함하고,상기 유전체층의 굴절률은 높이에 따라 단계적으로 또는 순차적으로 감소하고,상기 유전체층의 상부면은 다공질 형태를 포함하고,상기 유전체층의 다공질 형태는 상기 유전체층의 증착과 동시에 형성되고,상기 유전체층은 상기 상부 전극 상에 차례로 적층된 WO3 100% / WO3 75% + CaF2 25% / WO3 50% + CaF2 50% / WO3 25% + CaF2 75% / CaF2 100%을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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10 10
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11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업융합원천기술개발사업 에너지 절감을 위한 외광효율이 최대 100% 향상된 OLED용 광추출 기초 원천기술 개발