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기체상 중공 나노입자의 형상을 제어하는 장치로서,작동 유체에 의해 코어 및 쉘 물질 전구체를 발생시키는 코어 쉘 물질 발생부, 상기 코어 쉘 물질 발생부에서 유입된 코어 및 쉘 물질 전구체로부터 중공 나노입자를 형성하는 중공 입자 반응부, 상기 중공 입자 반응부에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치,상기 중공 입자 반응부로부터 생성될 중공 나노입자의 형상을 제어하는 나노입자 형상 제어부 및상기 중공 입자 반응부로부터 생성된 중공 나노입자를 포집하는 입자 포집기를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제1항에 있어서,상기 나노입자 형상 제어부는 상기 전자빔 세기와 전구체 농도를 제어하여 상기 나노입자의 내부 구조의 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제2항에 있어서,상기 쉘 물질 전구체는 TEOS(Tetraethylorthosilicate), TMOS(Tetramethyl orthosilicate), TMS (tetramethyl-silane), 티타늄 테트라이소프로폭사이드(titanium tetraisopropoxide), 트리메틸알루미늄(Trimethylaluminum), 지르코늄(IV) T 부톡사이드(Zirconium(IV) tert-butoxide), 바나듐(V) 옥시트리이소프로폭사이드(Vanadium(V) oxytriisopropoxide), 바나듐(V) 옥시트리에톡사이드(Vanadium(V) oxytriethoxide), 바나듐(V) 옥시트리프로폭사이드(Vanadium(V) oxytripropoxide), 트리에틸갈륨(Triethylgallium) 트리메틸갈륨(Trimethylgallium) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제3항에 있어서,상기 코어 쉘 물질 전구체 발생부는 기포발생기(Bubbler) 또는 증발기(Evaporator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제4항에 있어서,상기 코어 물질 전구체는 은 나노입자인 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제5항에 있어서,상기 코어 쉘 물질 발생부와 중공 입자 반응부는 공급관에 의해 연결되며, 상기 공급관에는 상기 쉘 전구체의 응축을 방지하는 전기로(Furnace) 또는 열선(Heating Tape)이 마련된 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제6항에 있어서,상기 공급관에 마련된 열선 또는 전기로는 상기 기포발생기의 온도보다 20~25℃ 높게 제어되는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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제7항에 있어서,상기 나노입자의 내부 구조의 형상의 제어는 중공의 내경 및 외경의 크기 제어인 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어장치
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기체상 중공 나노입자의 형상을 제어하는 방법으로서,(a) 코어 쉘 물질 발생부에서 작동 유체에 의해 코어 및 쉘 물질 전구체를 발생시키는 단계, (b) 상기 코어 쉘 물질 발생부에서 유입된 중공 입자 반응부 내의 코어 및 쉘 물질 전구체에 대해 전자빔을 조사하는 단계,(c) 상기 단계 (a) 및 상기 단계 (b)에서 상기 전구체 농도 및 전자빔 세기를 제어하여 상기 코어 물질을 증발시키는 단계 및(d) 상기 중공 입자 반응부로부터 생성된 중공 나노입자를 포집하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어방법
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제9항에 있어서,상기 코어 물질 전구체는 은 나노입자인 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어방법
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제9항에 있어서,상기 쉘 물질 전구체는 TEOS(Tetraethylorthosilicate), TMOS(Tetramethyl orthosilicate), TMS (tetramethyl-silane), 티타늄 테트라이소프로폭사이드(titanium tetraisopropoxide), 트리메틸알루미늄(Trimethylaluminum), 지르코늄(IV) T 부톡사이드(Zirconium(IV) tert-butoxide), 바나듐(V) 옥시트리이소프로폭사이드(Vanadium(V) oxytriisopropoxide), 바나듐(V) 옥시트리에톡사이드(Vanadium(V) oxytriethoxide), 바나듐(V) 옥시트리프로폭사이드(Vanadium(V) oxytripropoxide), 트리에틸갈륨(Triethylgallium) 트리메틸갈륨(Trimethylgallium) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 상기 코어 쉘 물질 발생부에서 상기 중공 입자 반응부로 유입되기 전에 상기 쉘 전구체의 응축을 방지하기 위해 온도제어 하는 것을 특징으로 하는 중공 나노입자의 형상 제어방법
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