맞춤기술찾기

이전대상기술

박막트랜지스터 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015009594
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자기정렬 채널 형성방법, 동일 평면 게이트 형성기술, 바디 금속접촉 형성기술 및 반도체/금속 접합을 제어하는 중간층 형성기술을 이용한 박박 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01)
출원번호/일자 1020130021646 (2013.02.28)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1426646-0000 (2014.07.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이가원 대한민국 대전 유성구
2 이상율 대한민국 경북 구미시
3 정광석 대한민국 대전 서구
4 김유미 대한민국 대전 유성구
5 남동현 대한민국 대전 동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0179416-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097756-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0874716-70
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2013.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1159654-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1159227-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
8 등록결정서
Decision to grant
2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0295110-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박박 트랜지스터 제조방법에 있어서,마스크 수를 줄이기 위하여 자기정렬 채널 형성방법으로 소스, 드레인 및 채널층을 동시에 형성하는 단계 및컨덕턴스 및 문턱전압 제어를 위하여 상기 채널층을 산소 분위기하에서 후속 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 자기정렬 채널 형성방법은 기판상에 소스와 드레인 패턴이 형성된 섀도우(shadow) 마스크를 스페이서로 소정 간격으로 띄워 놓고 스퍼터링(sputtering) 방법으로 박막을 증착하여, 개방된 소스와 드레인 패턴이 슬릿으로 작용하고 증착물질이 산란 또는 회절되어 가려진 채널 패턴 밑에 증착물질이 얇게 형성되어 상기 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 자기정렬 채널을 형성하는 단계 전에,기판상에 전도층(32b)을 형성하는 단계 및상기 전도층(32b)상에 게이트 절연층(32a)을 형성하는 단계를 포함하여,게이트를 동일 평면상에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 채널의 표면상에 바디 단자로 금속접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 채널과 금속 사이의 중간층을 그래핀으로 형성한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 산학협력선도대학(LINC)육성사업단 산학협력선도대학(LINC)육성사업 산학협력선도대학(LINC)육성사업
2 한국연구재단 충남대학교 산학협력단 산학협력선도대학(LINC)육성사업 차세대 OLED 디스플레이 구동용 고성능 박막트랜지스터 개발