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은전구체와 유기계 안정제를 포함하는 제1반응액에 금속입자와 환원제를 첨가하여 상기 금속입자 표면에 은을 코팅시키는 금속입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기계 안정제는 유기 인산 화합물인 금속입자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 유기 인산 화합물은 디-2-에틸헥실인산(D2EPHA), 2-에틸핵실하이드로겐 2-에틸헥실인산(PC 88A) 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹 중에서 선택되는 금속입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속입자는 구리입자 또는 은 도핑된 구리입자인 금속입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원제는 하이드라진, 아스코르빈 산, 폴리비닐피로리돈(PVP), 글리세롤 또는 이들의 혼합물인 금속입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 은전구체는 질산은인 금속입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1반응액에 계면활성제를 더 첨가하는 금속입자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 계면활성제는 인산에스테르염 계열의 음이온 계면활성제인 금속입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속입자의 제조 시, 교반이 수행되는 금속입자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 은 도핑된 구리입자는,은전구체, 구리전구체 및 알코올 용매를 포함하는 제2반응액을 150 내지 230℃에서 교반시키고, 상기 제2반응액 중에 포함된 알코올 용매를 제거하여 제조하는 금속입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알코올 용매의 제거는,상기 교반을 중단한 상태에서 상기 제2반응액을 상온으로 냉각시켜 상기 제2반응액을 상기 금속입자를 포함하는 하층 및 상기 알코올 용매만을 포함하는 상층으로 층분리한 후, 상기 상층을 제거하는 금속입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알코올 용매를 제거한 이후에,상기 은 도핑된 구리입자를 200 내지 400℃에서 1시간 이하동안 소성시키는 금속입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 은전구체는 질산은인 금속입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 구리전구체는 구리 아세테이트인 금속입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알코올 용매는 글리세롤인 금속입자의 제조방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되며, 직경분포가 0
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제16항에 있어서,상기 은 코팅층의 두께는 10 내지 100 nm 인 은 코팅 금속입자
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삭제
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제16항의 은 코팅 금속입자를 함유하는 전도성 페이스트
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제16항의 은 코팅 금속입자를 전자파 차폐용 금속입자로 함유하는 전자파 차폐용 재료
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