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전력변환장치에 있어서, 직렬 연결된 2개의 커패시터를 포함하는 직류 링크단;직렬 연결된 2개의 레그 스위치 셀을 포함하고 상기 직류 링크단과 병렬 연결된 하프 브리지(half-bridge) 회로; 상기 커패시터의 상호 연결점과 상기 레그 스위치 셀의 상호 연결점 사이에서 직렬 연결된 2개의 추가 스위치 셀; 상기 레그 스위치 셀에 포함된 반도체 스위치 및 상기 추가 스위치 셀에 포함된 반도체 스위치의 턴-온 또는 턴-오프 제어를 위한 PWM 제어신호를 생성하는 스위칭 제어부; 및상기 레그 스위치 셀의 상호 연결점과 부하단 사이에 연결된 공진 회로를 포함하고, 상기 스위칭 제어부는 상기 레그 스위치 셀의 상호 연결점과 접지 사이에서 매 주기마다 동등한 전압 값이 출력되거나, 상기 상호 연결점으로부터 상기 상호 연결점과 연결된 공진 회로 또는 부하단을 향하는 방향으로 매 주기마다 동등한 전류 값이 출력되도록 2가지 타입의 PWM 제어신호 중 어느 하나를 생성하고,상기 레그 스위치 셀 및 상기 추가 스위치 셀 내 임의의 반도체 스위치의 턴-온되는 타이밍과 턴-오프되는 타이밍 중 적어도 어느 하나는 상기 2가지 타입의 PWM 제어신호에 의해 상이하게 제어되는 전력변환장치
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제 1 항에 있어서, 상기 레그 스위치 셀 및 상기 추가 스위치 셀은 각각 상기 반도체 스위치 및 상기 반도체 스위치에 접속된 역병렬 다이오드를 포함하는 전력변환장치
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제 2 항에 있어서, 상기 레그 스위치 셀 및 상기 추가 스위치 셀 내 반도체 스위치는 상기 역병렬 다이오드, 상기 레그 스위치 셀의 상호 연결점과 부하단 사이에 연결된 공진 회로, 및 상기 PWM 제어신호에 의해 영전압 소프트 스위칭되는 전력변환장치
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전력변환장치에 있어서, 직렬 연결된 2개의 커패시터를 포함하는 직류 링크단;직렬 연결된 2개의 레그 반도체 스위치를 포함하고 상기 직류 링크단과 병렬 연결된 하프 브리지(half-bridge) 회로; 상기 커패시터의 상호 연결점과 상기 레그 반도체 스위치의 상호 연결점 사이에서 직렬 연결된 2개의 추가 반도체 스위치; 상기 커패시터의 상호 연결점과 접지 사이에 연결된 하단 커패시터의 전압을 검출하는 검출부; 및 상기 레그 반도체 스위치의 상호 연결점과 접지 사이에서 매 주기마다 동등한 전압 값이 출력되거나, 상기 상호 연결점으로부터 상기 상호 연결점과 연결된 부하단을 향하는 방향으로 매 주기마다 동등한 전류 값이 출력되도록 복수의 타입의 PWM 제어신호 중 어느 하나를 생성하여 상기 레그 반도체 스위치 및 상기 추가 반도체 스위치에 인가하는 스위칭 제어부를 포함하고, 상기 스위칭 제어부는 상기 검출된 전압에 따라 소정의 타입의 PWM 제어신호를 생성하고,상기 레그 반도체 스위치 및 상기 추가 반도체 스위치의 턴-온되는 타이밍과 턴-오프되는 타이밍 중 적어도 어느 하나는 상기 복수의 타입의 PWM 제어신호에 의해 상이하게 제어되고, 상기 레그 반도체 스위치 및 상기 추가 반도체 스위치는 각각 역병렬 다이오드와 접속되는 전력변환장치
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제 5 항에 있어서, 상기 검출된 전압이 기설정된 상한 임계 값을 초과하거나 하한 임계 값 미만인 경우, 상기 스위칭 제어부는 제 1 타입의 PWM 제어신호를 생성하던 것을 중지하고, 전환된 타입인 제 2 타입의 PWM 제어신호를 즉각적으로 생성하거나 기설정된 과도 시간 이후에 생성하는 전력변환장치
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제 5 항에 있어서, 상기 검출된 전압이 기설정된 상한 임계 값을 초과하거나 하한 임계 값 미만인 경우, 상기 스위칭 제어부는 제 1 타입의 PWM 제어신호를 생성하던 것을 중지하고, 기설정된 과도 시간 동안 과도 운전 제어신호를 생성한 이후에 전환된 타입인 제 2 타입의 PWM 제어신호를 생성하고, 상기 과도 운전 제어신호는 상기 레그 반도체 스위치 중 어느 하나 및 상기 추가 반도체 스위치 중 어느 하나를 기설정된 고정 듀티비(duty ration)로 동작시키는 제어신호, 및 상기 레그 반도체 스위치 중 나머지 하나를 턴-오프시키고 상기 추가 반도체 스위치 중 나머지 하나를 턴-온시키는 제어신호를 포함하는 전력변환장치
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제 7 항에 있어서, 상기 고정 듀티비는 50%로 기설정된 것인 전력변환장치
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제 5 항에 있어서,상기 레그 반도체 스위치의 상호 연결점과 부하단 사이에 연결된 공진 회로를 포함하는 전력변환장치
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전력변환장치 내 반도체 스위치를 제어하는 방법에 있어서, 하프 브리지(half-briidge) 회로 내 직렬 연결된 2개의 레그 반도체 스위치의 상호 연결점과 접지 사이에서 매 주기마다 동등한 전압 값이 출력되거나, 상기 상호 연결점으로부터 상기 상호 연결점과 연결된 부하단을 향하는 방향으로 매 주기마다 동등한 전류 값이 출력되도록 복수의 타입의 PWM 제어신호를 생성하는 단계; 및상기 레그 반도체 스위치, 및 상기 하프 브리지 회로와 병렬 연결된 직류 링크단 내 직렬 연결된 2개의 커패시터의 상호 연결점과 상기 레그 반도체 스위치의 상호 연결점 사이에서 직렬 연결된 2개의 추가 반도체 스위치에 대해 상기 생성된 PWM 제어신호 중 어느 하나를 인가하는 단계를 포함하고, 상기 레그 반도체 스위치 및 상기 추가 반도체 스위치의 턴-온되는 타이밍과 턴-오프되는 타이밍 중 적어도 어느 하나는 상기 복수의 타입의 PWM 제어신호에 의해 상이하게 제어되고, 상기 레그 반도체 스위치 및 상기 추가 반도체 스위치는 각각 역병렬 다이오드와 접속되는 반도체 스위치 제어방법
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제 10 항에 있어서, 상기 커패시터의 상호 연결점과 접지 사이에 연결된 하단 커패시터의 전압을 검출하는 단계; 및상기 검출된 전압과 기설정된 상한 임계 값 또는 하한 임계 값을 비교하는 단계를 더 포함하고, 상기 인가하는 단계는 상기 비교하는 단계의 비교 결과에 따라 상기 생성된 PWM 제어신호 중 어느 하나를 결정하여 인가하는 반도체 스위치 제어방법
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제 11 항에 있어서, 상기 검출된 전압이 상기 상한 임계 값을 초과하거나 상기 하한 임계 값 미만인 경우, 상기 인가하는 단계는 인가되던 타입의 PWM 제어신호 대신에 상기 복수의 타입 중 어느 하나의 타입의 PWM 제어신호를 즉각적으로 인가하거나 기설정된 과도 시간 이후에 인가하는 반도체 스위치 제어방법
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제 11 항에 있어서, 상기 검출된 전압이 상기 상한 임계 값을 초과하거나 상기 하한 임계 값 미만인 경우, 상기 인가하는 단계는 인가되던 타입의 PWM 제어신호 대신에 기설정된 과도 시간 동안 과도 운전 제어신호를 인가한 이후에, 상기 복수의 타입 중 어느 하나의 타입의 PWM 제어신호를 인가하고, 상기 과도 운전 제어신호는 상기 레그 반도체 스위치 중 어느 하나 및 상기 추가 반도체 스위치 중 어느 하나를 기설정된 고정 듀티비(duty ration)로 동작시키는 제어신호, 및 상기 레그 반도체 스위치 중 나머지 하나를 턴-오프시키고 상기 추가 반도체 스위치 중 나머지 하나를 턴-온시키는 제어신호를 포함하는 반도체 스위치 제어방법
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