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전계방출용 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치

  • 기술번호 : KST2015011235
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계방출용 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치를 제공한다. 전계방출용 에미터는 관통홀을 구비하는 기판; 상기 관통홀의 상부 일부를 매립하며 상기 기판의 전면 상으로 돌출된 탄소나노튜브 패턴; 및 상기 기판의 후면 상에 배치되며, 상기 관통홀 내에서 상기 탄소나노튜브 패턴에 접하는 부착층을 포함한다. 따라서, 관통홀을 구비하는 기판과 진공여과법을 이용하여 기판 상에 탄소나노튜브를 쉽게 패턴화할 수 있고, 기판 후면 상에 탄소나노튜브와 접하는 부착층이 형성됨으로써 기판과 탄소나노튜브사이의 부착력을 강화시킬 수 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/3048(2013.01) H01J 1/3048(2013.01) H01J 1/3048(2013.01) H01J 1/3048(2013.01) H01J 1/3048(2013.01)
출원번호/일자 1020120020491 (2012.02.28)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1458267-0000 (2014.10.29)
공개번호/일자 10-2013-0098735 (2013.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20141107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내성 대한민국 서울 양천구
2 이한성 대한민국 서울 광진구 광나루로**길 **-*, (군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0164517-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0023637-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415165-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0741220-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0855356-00
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0941381-82
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0943573-98
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0941374-62
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0147868-83
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0388786-21
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0388839-53
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0598992-92
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0919118-64
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0919119-10
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0732752-52
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번호 청구항
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관통홀들을 구비하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에서 진공 여과시켜, 상기 관통홀의 상부 일부를 매립하는 탄소나노튜브 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판의 후면 상에 상기 관통홀 내에서 상기 탄소나노튜브 패턴에 접하는 부착층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 탄소나노튜브 패턴을 형성하는 단계는,고분자 멤브레인 위에 상기 관통홀들을 구비하는 기판을 위치시키는 단계;상기 기판 상에 탄소나노튜브 용액을 진공 여과시키는 단계; 및상기 고분자 멤브레인을 제거하는 단계를 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
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제5항에 있어서,상기 부착층을 형성하는 단계는 페이스트법 또는 전기도금법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계방출용 에미터 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 부착층을 형성하는 단계 이후에,상기 탄소나노튜브를 활성화하여 상기 탄소나노튜브를 수직 정렬시키는 단계를 더 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
8 8
관통홀들을 구비하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 상기 관통홀들 중 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층 상에서 진공 여과시켜, 상기 개구부 내에 노출된 상기 관통홀들의 상부 일부를 매립하는 탄소나노튜브 패턴을 형성하는 단계;상기 기판의 후면 상에 상기 관통홀 내에서 상기 탄소나노튜브 패턴에 접하는 부착층을 형성하는 단계; 및상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
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제8항에 있어서,상기 마스크층은 금속 메쉬인 것을 특징으로 하는 전계방출용 에미터 제조방법
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