| 1 |
1
아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 및 에스터기 중에서 선택되는 사면체 형태로 배향된 4개의 제1 관능기를 갖는 제1 단량체와 상기 제1 단량체와 중합 가능한 적어도 2개의 제2 관능기를 갖는 제2 단량체를 중합시켜 형성되는 다공성 유기 망 나노입자; 및상기 나노입자를 함유한 고분자 매트릭스를 포함하고,상기 제1 관능기가 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기인 경우 상기 제2 관능기는 아미노기이고, 상기 제1 관능기가 아미노기인 경우 상기 제2 관능기는 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기인 다공성 고분자 분리막을 포함하며, 상기 분리막은 상기 고분자 매트릭스 내의 고분자 상과 네트워크 상 간의 계면에서 형성된 기공을 포함하는 다공성 고분자 분리막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 단량체는 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 한 화학식으로 표시되는 화합물인 다공성 고분자 분리막:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, R은 아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기이고, X는 탄소 원자 또는 실리콘 원자이다
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제2 단량체는 2~4개의 제2 관능기로 치환된 C1~C20의 지방족 화합물 또는 2~4개의 제2 관능기로 치환된 C6~C30의 방향족 화합물인 다공성 고분자 분리막
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2 단량체는 하기 화학식 4 내지 화학식 11 중 어느 한 화학식으로 표시되는 화합물인 다공성 고분자 분리막:003c#화학식 4003e#상기 화학식 4에서, R은 아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기이고, n은 2~6의 정수이다
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 나노입자는 상기 고분자 매트릭스 내에서 응집된 입자 형태로 분산되어 존재하는 다공성 고분자 분리막
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 나노입자는 상기 고분자 매트릭스 내에서 나노입자가 서로 연결된 네트워크 형태로 존재하는 다공성 고분자 분리막
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 고분자는 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리아크릴로나이트릴, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리벤지미다졸, 폴리에틸렌글리콜, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리에테르에테르케톤 및 폴리비닐리덴플루오라이드 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 다공성 고분자 분리막
|
| 9 |
9
아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 및 에스터기 중에서 선택되는 사면체 형태로 배향된 4개의 제1 관능기를 갖는 제1 단량체와 상기 제1 단량체와 중합 가능한 적어도 2개의 제2 관능기를 갖는 제2 단량체를 함유한 단량체 용액을 준비하는 단계(여기서, 상기 제1 관능기가 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기인 경우 상기 제2 관능기는 아미노기이고, 상기 제1 관능기가 아미노기인 경우 상기 제2 관능기는 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기이다);상기 단량체 용액 내의 상기 제1 단량체와 상기 제2 단량체를 중합시켜 다공성 유기 망 나노입자를 형성하는 단계;상기 다공성 유기 망 나노입자가 용해된 나노입자 함유 용액과 고분자를 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액을 기판 상에 도포한 후 열처리하여 나노입자를 함유한 고분자 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 다공성 고분자 분리막 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제1 단량체는 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 한 화학식으로 표시되는 화합물인 다공성 고분자 분리막 제조방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, R은 아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기이고, X는 탄소 원자 또는 실리콘 원자이다
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 제2 단량체는 2~4개의 제2 관능기로 치환된 C1~C20의 지방족 화합물 또는 2~4개의 제2 관능기로 치환된 C6~C30의 방향족 화합물인 다공성 고분자 분리막 제조방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 제2 단량체는 하기 화학식 4 내지 화학식 11 중 어느 한 화학식으로 표시되는 화합물인 다공성 고분자 분리막 제조방법:003c#화학식 4003e#상기 화학식 4에서, R은 아미노기, 이소시아네이트기, 아실할라이드기 또는 에스터기이고, n은 2~6의 정수이다
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 혼합 용액 내의 나노입자와 고분자 간의 조성비를 조절하여, 상기 매트릭스 내에 존재하는 나노입자의 공간분포를 제어하는 것을 특징으로 하는 다공성 고분자 분리막 제조방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,상기 열처리에 따른 상기 혼합 용액의 용매 증발 시 상기 고분자 매트릭스 내 고분자 상과 네트워크 상 간의 수축비 차이에 의해 상기 고분자 상과 네트워크 상 간의 계면에서 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는 다공성 고분자 분리막 제조방법
|
