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하부 전극;상기 하부 전극과 수직 교차하도록 형성되는 상부 전극;상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 교차 영역에 형성되며, 주기적으로 수직 정렬된 복수개의 금속 산화물 나노로드를 가지는 나노구조체; 및상기 금속 산화물 나노로드의 측면을 감싸도록 배치된 절연체를 포함하고,상기 절연체는 각 금속 산화물 나노로드가 수직 정렬될 때, 복수개의 수직한 기공을 제공하는 나노 템플레이트가 잔류된 것을 포함하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 복수개의 금속 산화물 나노로드 각각의 직경과 높이는 서로 동일한 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노로드는 ZnO, CuO, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 전극은 ITO 전극이고, 상기 상부 전극은 Pt 전극이며, 상기 금속 산화물 나노로드는 ZnO 나노로드인 전자 소자
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기판 상에 서로 나란하게 배열되는 복수개의 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극이 형성된 기판의 전면에 금속 산화물 씨드층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 씨드층 상에 복수개의 수직한 기공이 형성된 나노 템플레이트를 형성하는 단계;상기 나노 템플레이트에 의해 상기 하부 전극 상에서 선택적으로 노출된 금속 산화물 씨드층을 성장시켜 상기 기판에 대해 수직이 되도록 금속 산화물 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 나노구조체 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 나노 템플레이트를 잔류시켜서 나노로드들간의 절연막으로 역할하는 것인,전자 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 나노 템플레이트는 절연성을 가지는 폴리머를 함유하는 전자 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 나노 템플레이트를 형성하는 단계는,복수개의 필러를 가지는 나노임프린팅 스탬프를 제조하는 단계;상기 금속 산화물 씨드층의 전면에 광경화성 레지스트를 도포하고, 상기 나노임프린팅 스탬프를 사용하여 가압하는 단계;상기 광경화성 레지스트에 광을 조사하여 경화시킨 후, 상기 나노임프린팅 스탬프를 제거하는 단계; 및 상기 하부 전극 상에 형성된 금속 산화물 씨드층이 노출될 때까지 상기 광경화성 레지스트를 식각하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 산화물 나노구조체는 주기적으로 수직 정렬된 복수개의 금속 산화물 나노로드인 전자 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 산화물 나노구조체를 형성하는 단계는,복수개의 수직한 기공을 가지는 나노템플레이트가 형성된 기판을 수열 합성용 용액 내에 배치하는 단계; 및상기 기공을 따라 금속 산화물 나노구조체를 성장시키는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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하부 기판;상기 하부 기판과 대향되게 배치되는 상부 기판;상기 하부 기판 상에 서로 나란하게 배열되는 복수개의 하부 전극;상기 상부 기판의 하면에 서로 나란하게 배열되며, 상기 하부 전극과 수직 교차하도록 형성되는 복수개의 상부 전극;상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 교차 영역들에 형성되고, 주기적으로 수직 배열된 복수개의 금속 산화물 나노로드이며, 상기 교차 영역들 각각은 동일한 개수의 금속 산화물 나노로드를 구비하는 압전 나노구조체; 및상기 금속 산화물 나노로드의 측면을 감싸도록 배치된 절연체를 포함하고,상기 절연체는 각 금속 산화물 나노로드가 수직 정렬될 때, 복수개의 수직한 기공을 제공하는 나노 템플레이트가 잔류된 것을 포함하는 터치 패널
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제10항에 있어서,상기 압전 나노구조체는 ZnO, MgO, TiO2, SnO2 및 CdO 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 패널
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제10항에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극은 투명 전극인 터치 패널
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