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산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리하는 단계; 및탄소 소스가 포함된 공정 가스를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 상기 기판면과 수평으로 적층되는 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 는 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착 챔버 내에서 수행하며,상기 챔버 내의 온도는 100℃ ~ 600℃이고, 상기 플라즈마 파워는 30W ~ 50W인 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판을 전처리하는 단계 이전에, 또는 상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 사이에, 상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 그래핀층은 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 영역 내에 형성되는 그래핀의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 단계 이후에 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 사이에, 환원성 가스 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 환원성 가스는 H2, Ar, He 및 N2 중에서 선택되는 어느 하나인 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화성 가스는 O2, O3, F2, Cl2 및 Br2 중에서 선택되는 어느 하나인 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리카, 석영, 유리, 사파이어 및 마이카 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 플렉서블 기판인 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 공정 가스는 탄소 소스와 H2의 혼합 가스인 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 는 동일 챔버 내에서 수행하는 그래핀의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 기판을 전처리하는 단계, 상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계및 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계는 동일 챔버 내에서 수행하고, 상기 마스크 패턴은 파인 메탈 마스크 패턴인 그래핀의 제조방법
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기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;환원성 가스 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 영역을 선택적으로(selectively) 처리하는 단계;상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및탄소 소스가 포함된 공정 가스를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 상기 환원성 가스 플라즈마에 의해 처리되지 않은 기판 상의 영역에만 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 각 단계들은 동일 챔버 내에서 수행하는 그래핀의 제조방법
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산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리하는 단계; 및탄소 소스가 포함된 공정 가스를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 기판을 전처리하는 단계 이전에, 또는 상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 사이에,상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;환원성 가스 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 영역에 선택적으로(selectively) 처리하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하고,상기 그래핀층은 상기 기판 상에 상기 환원성 가스 플라즈마에 의해 처리되지 않은 기판 상의 영역에만 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은 1층 내지 4층인것을 특징으로 하는 그래핀의 제조방법
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