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기판 상에 복수개의 n-GaN 기둥들과, 상기 복수개의 n-GaN 기둥들 사이에 위치되는 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 및 상기 복수개의 n-GaN 기둥들의 상부공간을 덮는 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 n-GaN층 상부에 활성층, p-GaN, p형 전극을 차례로 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하고 상기 복수개의 n-GaN 기둥들을 습식식각하여 기판을 분리하는 단계를 포함하는 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 산화막은 SiO2 또는 SOG로 형성하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법
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제1항에 있어서, 상기 산화막을 제거하고 상기 복수개의 n-GaN 기둥들을 습식식각하여 기판을 분리하는 단계에서, 상기 산화막 제거를 위해서는 BOE(Buffered Oxide Etchant) 혹은 HF 용액을 이용하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화막을 제거하고 상기 복수개의 n-GaN 기둥들을 습식식각하여 기판을 분리하는 단계에서, 상기 복수개의 n-GaN 기둥들의 습식식각은 KOH 용액으로 진행하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제4항에 있어서, 상기 KOH 용액의 농도는, 3mol~7mol이고, 상기 습식식각은 20분~30분 동안 진행하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제1항에 있어서, 상기 n-GaN층을 형성하는 단계에서, 상기 n-GaN층은 마이크로 혹은 나노 피라미드 구조를 가진 요철부 형태로 성장하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 복수개의 n-GaN 기둥들과, 상기 복수개의 n-GaN 기둥들 사이에 위치되는 산화막을 형성하는 단계는,(a) 기판 위에 성장된 n-GaN 위에 산화막을 증착시키는 공정;(b) 상기 산화막에 복수개의 수직 홀(hole)을 형성하는 공정; 및(c) 상기 복수개의 수직 홀(hole)에 n-GaN을 재성장시켜 복수개의 n-GaN 기둥들을 형성하는 공정을 포함하여 수행되는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 상에 복수개의 n-GaN 기둥들과, 상기 복수개의 n-GaN 기둥들 사이에 위치되는 산화막을 형성하는 단계는,(a) 기판 위에 성장한 n-GaN을 리소그라피 공정을 이용하며 식각하여 복수개의 n-GaN 기둥들을 형성하는 공정; 및(b) 산화물을 패시베이션하여 상기 복수개의 n-GaN 기둥들 사이에 산화막을 형성하는 공정을 포함하여 수행하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제2항에 있어서,상기 기판 상에 위치하는 산화막의 SiO2는 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)또는 E-beam(Electron beam)으로 증착하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법
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제2항에 있어서,상기 기판 상에 위치하는 산화막의 SOG는 스핀코팅(Spin-coating)으로 도포하는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법
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제7항에 있어서,상기 산화막에 수직 홀(hole)을 형성하는 공정은, 포토리소그라피(Photolithography), 레이저 간섭 석판술 (Laser Interference lithography), 또는, 나노임프린팅 리소그라피(Nano Imprinting Lithography)에 의하여 수행되는 것인 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법
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