| 1 |
1
기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상부에 형성되며, 주요면에 무극성면을 포함하는 n형 질화물 반도체 나노로드;상기 n형 질화물 반도체층 및 n형 질화물 반도체 나노로드 표면상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성되고, 밑면이 육각형인 피라미드 형상에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 전류 확산층;상기 전류 확산층 상에 형성된 양극; 및상기 n형 질화물 반도체층의 노출된 면 상에 형성된 음극을 포함하는 질화물계 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체 나노로드는 직경 200nm 내지 2000nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층, 상기 n형 질화물 반도체 나노로드, 상기 p형 질화물 반도체층 또는 광활성층은 GaN를 포함하는 질화물계 발광다이오드
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 광활성층은 인듐의 함량의 조절에 따른 다중양자우물 구조를 포함하는 질화물계 발광다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층는 상기 n형 질화물 반도체 나노로드와 동일한 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드
|
| 6 |
6
기판 상에 n형 질화물 반도체층 및 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층의 표면 일부가 노출되도록 마스크층을 패터닝하여 상기 n형 질화물 반도체층 상에 돌출된 n형 질화물 반도체를 형성하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 돌출된 n형 반도체의 반극성면을 제거하여 무극성면을 포함하는 나노로드를 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 및 n형 질화물 반도체 나노로드 표면상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 고의적으로 부분병합하여 밑면이 육각형인 피라미드 형상으로 돌출된 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 전류 확산층을 형성하는 단계;상기 전류 확산층 상에 양극을 형성하는 단계; 및상기 n형 질화물 반도체층의 노출된 면 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 기판 상에 n형 질화물 반도체층 및 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계에서 상기 마스크층은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 나노로드를 형성하는 단계는 습식 식각 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 습식 식각은 KOH를 기반으로 수행되며, 상기 KOH의 농도범위는 2 내지 4몰농도인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
| 10 |
10
제6항 또는 8항에 있어서,상기 나노로드를 형성하는 단계에서 습식 식각은 80℃ 내지 120℃의 온도범위 및 3 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제6항에 있어서,상기 광활성층은 인듐의 함량을 조절하여 다중양자우물 구조를 형성하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
|
