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플라즈모닉 신호 생성기

  • 기술번호 : KST2015011451
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 플라즈모닉 소자는 제1 길이의 제1 플라즈모닉 도파로에 대해 동일한 방향으로 소정의 갭 길이의 갭을 사이에 두고 배치된 제2 길이의 제2 플라즈모닉 도파로를 포함할 수 있다. 제1 플라즈모닉 도파로는 소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP)이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 연장될 수 있다. 제2 플라즈모닉 도파로는 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 연장될 수 있다.
Int. CL G02B 6/125 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/122 (2006.01) G02B 6/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130117361 (2013.10.01)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1467241-0000 (2014.11.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.01)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 서울 강남구
2 이동헌 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0891969-11
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0411713-40
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034883-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0372829-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710172-29
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0710164-64
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0613959-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP)이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 제1 길이만큼 연장되는 제1 플라즈모닉 도파로; 및상기 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 제2 길이만큼 연장되는 제2 플라즈모닉 도파로를 포함하고,상기 유전체 층은 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역에서 TM 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤의 자기장을 내부적으로 분포시킬 수 있는 유전체 물질로 구현되고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 소정의 편광 모드로 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로는 IMI 구조, MIM 구조 또는 IMIMI 구조로 이루어지는 군 중에서 선택되는 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로를 구현하기 위한 금속 재료는 귀금속 및 천이금속(transition metal)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 구현되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 층은 규소(Si), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 및 폴리머(Polymer)로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 유전체 물질로 구현되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역의 유전률과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역의 유전률이 서로 다르도록 구현되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
6 6
소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 제1 길이만큼 연장되는 제1 플라즈모닉 도파로;상기 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 제2 길이만큼 연장되는 제2 플라즈모닉 도파로; 및상기 갭에 대해 원하는 편광 모드로 편광된 빛을 입사하는 편광 광원 소자를 포함하고,상기 유전체 층은 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역에서 TM 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤의 자기장을 내부적으로 분포시킬 수 있는 유전체 물질로 구현되고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 소정의 편광 모드로 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
7 7
소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 제1 길이만큼 연장되는 제1 플라즈모닉 도파로;상기 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 제2 길이만큼 연장되는 제2 플라즈모닉 도파로; 및상기 갭에 대해 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향과 평행하는 방향으로 전기장을 형성하도록 편광된 빛을 입사하는 TE 모드 편광 광원 소자를 포함하고,상기 유전체 층은 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역에서 TM 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤의 자기장을 내부적으로 분포시킬 수 있는 유전체 물질로 구현되고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 TE 모드 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 TE 모드 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
8 8
청구항 7에 있어서, TE 모드 편광 광원 소자는, 변조하고자 하는 입력 심볼의 반전된 심볼에 따라 TE 모드 편광된 빛이 갭에 입사되거나 또는 입사되지 않도록 TE 모드 편광된 빛을 발광하거나 억제하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제2 플라즈모닉 도파로는,상기 제1 플라즈모닉 도파로에서 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤이 상기 갭에 입사되는 변조된 TE 모드 편광된 빛에 의해 통과 또는 차단됨에 따라, 상기 입력 심볼에 따라 변조된 표면 플라즈모닉 폴라리톤 모드를 출력 위치에서 출력하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로는 IMI 구조, MIM 구조 또는 IMIMI 구조로 이루어지는 군 중에서 선택되는 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
11 11
청구항 7에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로를 구현하기 위한 금속 재료는 귀금속 및 천이금속으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
12 12
청구항 7에 있어서, 상기 유전체 층은 규소, 이산화규소, 질화규소 및 폴리머로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 유전체 물질로 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
13 13
청구항 7에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역의 유전률과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역의 유전률이 서로 다르도록 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
14 14
소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 제1 길이만큼 연장되는 제1 플라즈모닉 도파로;상기 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 제2 길이만큼 연장되는 제2 플라즈모닉 도파로; 및상기 갭에 대해 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향과 직교하는 방향으로 전기장을 형성하도록 TM 모드 편광된 빛을 입사하는 TM 모드 편광 광원 소자를 포함하고, 상기 유전체 층은 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역에서 TM 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤의 자기장을 내부적으로 분포시킬 수 있는 유전체 물질로 구현되고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 TM 모드 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 TM 모드 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 TM 모드 편광 광원 소자는,소정의 제어 신호에 따라 세기가 제어된 TM 모드 편광된 빛이 상기 갭에 입사되도록 TM 모드 편광된 빛을 발광하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 제2 플라즈모닉 도파로는,상기 제1 플라즈모닉 도파로에서 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤이 상기 갭에 입사되는 제어된 TM 모드 편광된 빛에 의해 세기가 조절됨에 따라, 상기 제어 신호에 따라 세기가 제어되는 표면 플라즈모닉 폴라리톤 모드를 출력 위치에서 출력하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
17 17
청구항 14에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로는 IMI 구조, MIM 구조 또는 IMIMI 구조로 이루어지는 군 중에서 선택되는 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
18 18
청구항 14에 있어서, 상기 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로를 구현하기 위한 금속 재료는 귀금속 및 천이금속으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
19 19
청구항 14에 있어서, 상기 유전체 층은 규소, 이산화규소, 질화규소 및 폴리머로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 유전체 물질로 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
20 20
청구항 14에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제1 및 제2 금속-유전체 경계면들에서 제1 및 제2 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들 및 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면들에 접하는 영역의 유전률과 갭 시작 위치부터 갭 종료 위치까지의 영역의 유전률이 서로 다르도록 구현되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치
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제1 길이의 제1 플라즈모닉 도파로에 대해 동일한 방향으로 소정의 갭 길이의 갭을 사이에 두고 배치된 제2 길이의 제2 플라즈모닉 도파로를 포함하는 플라즈모닉 소자에 있어서, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 입력 위치에서 TM 모드 전자기파를 여기하여 상기 제1 플라즈모닉 도파로에 소정 결합 모드의 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP) 모드를 생성하는 단계;소정의 입력 심볼의 반전된 심볼에 상응하여 발광 또는 억제시킴으로써 변조된 광 신호를 상기 여기된 SPP 모드의 진행 방향에 평행하게 전기장이 형성되도록 TE 모드 편광하여 상기 갭에 수직하게 입사시키는 단계;상기 여기된 SPP 모드가 상기 갭에 입사되는 상기 변조된 TE 모드 편광된 빛에 의해 통과 또는 차단됨에 따라, 상기 입력 심볼에 따라 변조된 표면 플라즈모닉 폴라리톤 모드를 상기 제2 플라즈모닉 도파로의 출력 위치에서 출력하는 단계를 포함하고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 TE 모드 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 TE 모드 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 방법
22 22
제1 길이의 제1 플라즈모닉 도파로에 대해 동일한 방향으로 소정의 갭 길이의 갭을 사이에 두고 배치된 제2 길이의 제2 플라즈모닉 도파로를 포함하는 플라즈모닉 소자에 있어서, 상기 제1 플라즈모닉 도파로의 입력 위치에서 TM 모드 전자기파를 여기하여 상기 제1 플라즈모닉 도파로에 소정 결합 모드의 여기된 SPP 모드를 생성하는 단계;소정의 제어 신호에 상응하여 세기가 제어됨으로써 변조된 광 신호를 상기 여기된 SPP 모드의 진행 방향에 수직하게 전기장이 형성되도록 TM 모드 편광하여 상기 갭에 수직하게 입사시키는 단계; 및상기 여기된 SPP 모드가 상기 갭에 입사되는 상기 제어된 TM 모드 편광된 빛에 의해 감쇄됨에 따라, 상기 제어 신호에 의해 제어된 표면 플라즈모닉 폴라리톤 모드를 상기 제2 플라즈모닉 도파로의 출력 위치에서 출력하는 단계를 포함하고,상기 갭의 길이는, 상기 갭에 TM 모드 편광된 빛을 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향에 수직하게 입사하였을 경우에, 상기 TM 모드 편광된 빛이 상기 갭을 관통할 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09377580 US 미국 FAMILY
2 US20150093071 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015093071 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9377580 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.