| 1 |
1
(a) 금속염, 고분자 물질 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계로서, 상기 용액이 AgNO3, AgI 및 Ag2SO4으로 이루어진 군에서 선택되는 염을 추가로 포함하는 단계;(b) 상기 용액을 마이크로웨이브로 조사하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계;(c) 단계 (b)에서 얻어진 용액을 냉각시키는 단계; 및 (d) 상기 용액으로부터 상기 금속 나노와이어를 분리하는 단계를 포함하는 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금속염의 금속이 은(Ag), 알루미늄(Al), 비소(As), 금(Au), 붕소(B), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 니오븀(Nd), 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 코발트(Co), 크롬(Cr), 세슘(Cs), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 칼륨(K), 란탄(La), 리시움(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 나트륨(Na), 니켈(Ni), 오스뮴(Os), 인(P), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 황(S), 안티몬(Sb), 셀렌(Se), 실리콘(Si), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 텔루륨(Te), 토륨(Th), 티탄(Ti), 탈륨(Tl), 우라늄(U), 바나듐(V), 텅스텐(W), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인, 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 금속염이 AgCl, ZnCl2, NaCl, 또는 CuCl2인 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속염이 상기 용액의 총량을 기준으로 0
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 물질이 폴리비닐피롤리돈, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스, 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알콜, 폴리퍼퓨릴알콜, 폴리스티렌, 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매가 에틸렌 글리콜, 글리세린, 소르비톨, 펜타에리스리톨, 톨루엔디아민 및 디아미노페닐메탄으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마이크로웨이브의 파장이 500Hz 내지 900 MHz인 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (b)에서, 용액의 온도가 120 내지 200℃가 될 때까지 마이크로웨이브를 조사하는 금속 나노와이어의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 금속 나노와이어
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 종횡비가 150 이상 내지 1000 이하인 금속 나노와이어
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서, 직경이 40 내지 150 nm이고, 길이가 5 내지 20 ㎛인 금속 나노와이어
|
| 13 |
13
제10항에 따른 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전극
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 광투과율이 88% 이상인 투명 전극
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 투명 전극의 면저항 값이 150 내지 200 Ω/square인 투명 전극
|
| 16 |
16
제13항에 따른 투명 전극을 포함하는 전자 소자
|
