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마이크로디스크 공진기;상기 마이크로디스크 공진기의 경계면을 둘러쌓도록 구비되는 돌출 유전체 링;상기 마이크로디스크 공진기의 외측에 구비되는 외부 유전체 링; 및상기 마이크로디스크 공진기, 돌출 유전체 링 및 외부 유전체 링의 상면에 구비되는 투명한 그래핀 전극;을 포함하되,상기 투명한 그래핀 전극에 300 ㎂이하의 미세한 전류를 인가 시에도 나노레이저가 발생되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 마이크로디스크 공진기의 중앙부에 금속층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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제2항에 있어서, 상기 금속층은 금, 금/게르마늄 합금, 금/아연 합금 및 니켈/금/게르마늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 전극은 5 내지 10층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 전극은 전계발광 1550 nm에서 91
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제1항에 있어서, 상기 유전체 링의 물질은 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 마이크로디스크 공진기는 n-i-p층의 InGaAsP 양자샘을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치
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삭제
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InGaAsP층/InP희생층/InP기질층으로 이루어진 웨이퍼로 제조된 InGaAsP 마이크로디스크 공진기의 경계면에 마이크로디스크 공진기를 둘러쌓도록 링 구조로 유전체 물질을 가공하여 돌출 유전체 링을 형성하는 단계; 습식 에칭에 의하여 InP 기둥을 남기고 마이크로디스크 공진기 아래에 있는 InP희생층을 제거하는 단계;마이크로디스크 공진기의 외측에 링 구조로 유전체 물질을 다시 가공하여 외부 유전체 링을 형성하는 단계; 및상기 마이크로디스크 공진기, 돌출 유전체 링 및 외부 유전체 링의 상면에 투명한 그래핀 전극을 구비하는 단계;를 포함하되,상기 투명한 그래핀 전극에 300 ㎂이하의 미세한 전류를 인가 시에도 나노레이저가 발생되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 마이크로디스크 공진기에 돌출 유전체 링을 형성하는 단계와 InP희생층을 제거하는 단계 사이에, 마이크로디스크 공진기의 중앙부에 금속층을 구비하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 그래핀 전극은 5 내지 10층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 그래핀 전극은 전계발광 1550 nm에서 91
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제9항에 있어서, 상기 유전체 물질은 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치의 제조방법
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나노필러;상기 나노필러의 외측에 구비되는 외부 유전체 링;상기 나노필러 및 외부 유전체 링 상면에 구비되는 투명한 그래핀 전극;을 포함하되,상기 투명한 그래핀 전극에 300 ㎂이하의 미세한 전류를 인가 시에도 나노레이저가 발생되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 단일 나노필러 LED
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제14항에 있어서, 상기 그래핀 전극은 전계발광 1550 nm에서 91
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제14항에 있어서, 상기 유전체 링의 물질은 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 단일 나노필러 LED
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