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적어도 일면 상에 ZnO를 포함하는 반도체 나노구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판과 이격되어 상기 반도체 나노구조체 상부에, P, As, Sb, N, Li, K, Na 및 Cs으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 포함하는, p 타입 도판트를 함유하는 적어도 하나 이상의 코팅층이 형성된 도핑용 부재를 배치시키는 단계; 및열처리를 통하여 상기 적어도 하나 이상의 코팅층에 포함된 p 타입 도판트를 상기 반도체 나노구조체로 공급하는 단계;를 포함하고,상기 적어도 하나 이상의 코팅층은 P, As, Sb, N, Li, K, Na 및 Cs으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는, p 타입 도판트를 함유하는 제 1 코팅층; 및상기 제 1 코팅층 상에 배치하며, P, As, Sb, N, Li, K, Na 및 Cs으로 이루어진 군에서 선택된 다른 하나를 포함하는, p 타입 도판트를 함유하는 제 2 코팅층;을 포함하는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 코팅층은 P, As, Sb, N, Li, K, Na 및 Cs으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 포함하는, p 타입 도판트를 함유하는 단수의 코팅층인, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노구조체는 p 타입 도판트를 포함함에 따라 전체가 p-형 반도체를 형성하는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노구조체는 상기 p 타입 도판트를 포함함에 따라, 상기 반도체 나노구조체의 내측부는 n-형 반도체가 형성되고, 상기 내측부를 둘러싸는 상기 반도체 나노구조체의 외측부는 p-형 반도체가 형성됨으로써, p-n 접합이 형성되는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제5항에 있어서, 상기 반도체 나노구조체의 내측부와 상기 반도체 나노구조체의 외측부는 상기 반도체 나노구조체의 길이방향과 나란한 하나의 축을 중심으로 하여 각각 대칭 형상을 이루는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 도핑용 부재는 지지부재의 적어도 일면 상에 상기 하나 이상의 코팅층이 형성된 것인, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은 상기 지지부재의 적어도 일면 상에 상기 p 타입 도판트를 포함하는 전구체를 스핀코팅법 또는 스프레이코팅법으로 코팅하여 제조한 것인, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 p 타입 도판트를 상기 반도체 나노구조체로 공급하는 단계는 산소 혹은 불활성가스가 일정비율 혼합된 산소 분위기에서 수행되는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서,적어도 일면 상에 ZnO를 포함하는 반도체 나노구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계는,상기 기판 상에 시드층을 형성하는 단계; 및 상기 시드층을 성장시켜, 상기 반도체 나노구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 전극이 증착되어 있는 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하며, 상기 전극은 ITO, Au, Ni 또는 Cr을 포함하는, 반도체 나노구조체의 도핑방법
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제 1 전극이 증착된 제 1 기판을 준비하는 단계;상기 제 1 기판 상에 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층을 성장시켜, 반도체 나노구조체를 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 이격되어 상기 반도체 나노구조체 상부에 적어도 둘 이상의 p 타입 도판트를 포함하는 적어도 하나 이상의 코팅층이 형성된 도핑용 부재를 배치시키는 단계;열처리를 통하여 상기 적어도 하나 이상의 코팅층에 포함된 p 타입 도판트를 상기 반도체 나노구조체로 공급하는 단계; 및상기 p 타입 도판트가 공급된 반도체 나노구조체 상에 제 2 전극이 증착된 제 2 기판을 고정시키는 단계; 를 포함하는, 에너지 변환소자의 제조 방법
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제12항에 기재된 방법에 의하여 제조된, 에너지 변환소자
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