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인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2015012125
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광다이오드 소자에 관하여 개시한다. 인광물질은 금속착체 화합물에 카바졸기를 화학적으로 결합시켜 인광물질의 용융성과 호스트 물질과의 혼화성을 향상시켰다. 이로써, 유기발광다이오드 소자의 유기발광층을 진공증착공정 또는 습식공정을 통해 형성이 가능하며, 우수한 막 특성을 가질 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 용이한 공정을 통해 제조할 수 있어 유기발광다이오드 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.인광, 카바졸, 유기발광다이오드, 효율, 수명
Int. CL C09K 11/06 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070020900 (2007.03.02)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1418113-0000 (2014.07.03)
공개번호/일자 10-2008-0080765 (2008.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성희 대한민국 서울특별시 동작구
2 최동훈 대한민국 서울특별시 성북구
3 진정일 대한민국 서울특별시 광진구
4 유영준 대한민국 충청북도 충주시
5 김규남 대한민국 서울특별시 도봉구
6 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0177451-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0168226-13
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038594-16
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0524307-45
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0697864-19
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0887483-84
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0887486-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0151624-00
19 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 7-1-2014-0010956-73
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
21 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2014-0015798-16
22 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0446213-89
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
하기의 화학식 8로 표시되는 인광 물질
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
(a) 하기 화학식 5의 화합물과 에틸아세테이트를 반응시켜 하기 화학식 6의 화합물을 형성하는 단계; 및(b) 하기 화학식 6의 화합물과 하기 화학식 7의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 8을 형성하는 단계를 포함하는 인광 물질의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,(a) 단계 이전에 12-브로모-도데캔-2-원(12-bromo-dodecan-2-one)과 카바졸을 반응시켜 상기 화학식 5를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인광 물질의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 1 전극, 유기발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드 소자에 있어서,상기 유기발광층은 제 1 항의 인광 물질과 상기 인광 물질이 도핑된 호스트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 호스트 물질은 4,4'-N,N'-디카바졸-바이페닐(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl;CBP), 테트라플루오렌(tertfluorene), 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole:PVK), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene;PPV) 및 폴리플루오렌(polyfluorene)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
14 14
제 12 항에 있어서,상기 호스트 물질과 상기 인광물질의 전체 함량 중 상기 인광 물질의 함량은 3 내지 10wt%인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.