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ＣＺＴＳ계 태양전지 광흡수층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015012137
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CZTS계(CZTS 및 CZTSe) 광흡수층 박막을 RTP를 통해 제조함에 있어서, Sn의 손실을 줄이면서 CZTS계 태양전지 광흡수층 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 기술을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130095126 (2013.08.12)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1407161-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우경 대한민국 대구광역시 수성구
2 오미솔 대한민국 경북 경주시 황성로 **,
3 김삼미 대한민국 경북 경산시 신천길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0726546-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378821-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CZTS계 전구체를 RTP(Rapid Thermal Process)를 통해 셀렌화 또는 설퍼화하여 CZTS계 광흡수층을 제조하는 방법에 있어서, 상기 CZTS계 전구체를 준비하여 쿼츠 재질의 케이스 및 상기 케이스를 덮는 커버를 포함하여 이루어지는 샘플트레이 내에 놓고, 퍼지가스가 입출구를 통하여 연속적으로 흐르며 RTP(Rapid Thermal Process)를 위한 열원이 구비된 RTP반응기 안에 상기 샘플트레이를 놓고 RTP를 진행하되, 상기 커버의 내측면에는 Se 또는 S의 코팅층과, 상기 코팅층 위에 Sn이 순서대로 적층된 Sn/(Se 또는 S) 코팅층이 있으며, 상기 RTP는 SnSex 또는 SnSx가 합성되기 위한 프리어닐링 과정과 상기 프리어닐링 과정 후에 셀렌화 또는 설퍼화 과정의 2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
2 2
제1항에서, 상기 CZTS계 전구체는 글라스 기판 위에 Mo 전극을 형성한 후, Sn 층, Cu 층, Zn 층이 순서대로 적층된 위에 Se 층 또는 S 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
3 3
제1항에서, 상기 RTP는 프리어닐링 과정은 230 ~ 480℃에서 이루어지고, 상기 셀렌화 또는 설퍼화 과정은 500 ~ 600℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
4 4
제1항에서, 상기 샘플트레이의 커버 내측면에는 Sn/(Se 또는 S) 코팅층이 있는 부분과 없는 부분으로 패턴화되며, 상기 Sn/(Se 또는 S) 코팅층이 없는 부분을 통하여 상기 열원으로부터 발생된 열원이 통과되도록 하는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
5 5
제4항에서, 상기 샘플트레이의 커버 내측면에는 Sn/(Se 또는 S) 코팅층이 중심 부분을 제외하고 모서리부분에만 띠 형상으로 형성되어 있거나, Sn/(Se 또는 S) 코팅층이 있는 부분과 없는 부분이 바둑판 형상으로 서로 교차 이웃하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
6 6
제1항에서, 상기 열원은 IR 히터인 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
7 7
제1항에서, 상기 프리어닐링 과정은 3분 내지 30분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 CZTS계 태양전지 광흡수층의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 영남대학교 산학협력단 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터사업 대경 태양전지/모듈 소재 개발