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1차측 코일과 2차측 코일이 상호 인덕턴스로 결합된 트랜스포머;드레인이 상기 트랜스포머의 1차측 코일과 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 상호 교차 결합된 한 쌍의 코어(Core) 트랜지스터;드레인이 상기 트랜스포머의 2차측 코일과 연결되고, 게이트가 상기 코어 트랜지스터의 게이트와 드레인이 만나는 교점과 교차 연결되고, 드레인에 출력단이 형성되어 있는 한 쌍의 피드백(Feedback) 트랜지스터; 및상기 트랜스포머의 1차측 코일과 병렬로 연결되어 있으며, 상기 트랜스포머의 인덕턴스 값을 낮추고, 부성저항을 제공하여 발진조건을 만족시키기 위한 RF 부성저항 탱크를 포함하되,상기 한 쌍의 코어 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로서, 드레인이 상기 1차측 코일의 일측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 제2 코어 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제1 코어 트랜지스터와,드레인이 상기 1차측 코일의 타측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 제1 코어 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제2 코어 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 1에 있어서,상기 한 쌍의 피드백 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로서, 드레인이 상기 2차측 코일의 일측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제1 코어 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제1 피드백 트랜지스터와,드레인이 상기 2차측 코일의 타측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제2 코어 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 피드백 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 3에 있어서,상기 RF 부성저항 탱크는,소스가 상기 1차측 코일의 일측에 연결되고, 드레인이 전원에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터;소스가 상기 1차측 코일의 타측에 연결되고, 드레인이 전원에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터; 및상기 제1 부성저항 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 부성저항 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 있는 인덕터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 1에 있어서,상기 고주파 신호 발생기는 상기 1차측 코일에 병렬로 연결된 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터의 제어 전압을 조절하는 방식으로 발진주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 1에 있어서,상기 고주파 신호 발생기는 상기 2차측 코일에 병렬로 연결된 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터의 제어 전압을 조절하는 방식으로 출력 신호의 주파수를 변경하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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1차측 코일과 2차측 코일이 상호 인덕턴스로 결합된 트랜스포머;드레인이 상기 트랜스포머의 1차측 코일과 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 상호 교차 결합된 한 쌍의 코어(Core) 트랜지스터;드레인이 상기 트랜스포머의 2차측 코일과 연결되고, 게이트가 상기 코어 트랜지스터의 게이트와 드레인이 만나는 교점과 교차 연결되고, 드레인에 출력단이 형성되어 있는 한 쌍의 피드백(Feedback) 트랜지스터; 및상기 트랜스포머의 2차측 코일과 병렬로 연결되어 있으며, 상기 트랜스포머의 인덕턴스 값을 낮추고, 부성저항을 제공하여 발진조건을 만족시키기 위한 RF 부성저항 탱크를 포함하되,상기 한 쌍의 코어 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로서, 드레인이 상기 1차측 코일의 일측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 제2 코어 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제1 코어 트랜지스터와,드레인이 상기 1차측 코일의 타측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 제1 코어 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제2 코어 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 7에 있어서,상기 한 쌍의 피드백 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로서, 드레인이 상기 2차측 코일의 일측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제1 코어 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제1 피드백 트랜지스터와,드레인이 상기 2차측 코일의 타측에 연결되고, 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제2 코어 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 피드백 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 9에 있어서,상기 RF 부성저항 탱크는,소스가 상기 2차측 코일의 일측에 연결되고, 드레인이 전원에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터;소스가 상기 2차측 코일의 타측에 연결되고, 드레인이 전원에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터; 및상기 제1 부성저항 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 부성저항 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 있는 인덕터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 7에 있어서,상기 고주파 신호 발생기는 상기 1차측 코일에 병렬로 연결된 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터의 제어 전압을 조절하는 방식으로 발진주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 7에 있어서,상기 고주파 신호 발생기는 상기 2차측 코일에 병렬로 연결된 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터의 제어 전압을 조절하는 방식으로 출력 신호의 주파수를 변경하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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