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수직형 발광 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012494
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직형 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 기판을 준비하고, 상기 기판 상에, 제1 전도성 타입을 갖는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 전도성 타입을 갖는 제2 반도체층을 구비한 화합물 반도체층 구조물을 형성한다. 이후, 상기 제2 반도체층 상에, 서브 마이크론 이하의 크기를 갖는 레지스트 패턴을 전사시킨다. 이후, 상기 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층의 상부 표면을 이방성 식각하여 상기 제2 반도체층의 상부에 요철 패턴을 형성한다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/00 (2010.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020130070693 (2013.06.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1436743-0000 (2014.08.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 서초구
2 조중연 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0548515-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0022918-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0373950-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0678435-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0678472-70
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0525467-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에, 제1 전도성 타입을 갖는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 전도성 타입을 갖는 제2 반도체층을 구비한 화합물 반도체층 구조물을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 상에, 서브 마이크론 이하의 크기의 폭을 갖는 레지스트 패턴을 전사시키는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층의 상부 표면을 이방성 식각하여 상기 제2 반도체층의 상부에 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 레지스트 패턴을 상기 제2 반도체층 상에 전사시키는 단계는,상기 요철 패턴에 대응되는 리세스 패턴이 상부에 형성된 유연 몰드를 준비하는 단계;상기 유연 몰드 상부에, 상기 제2 반도체층에 대하여 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 상기 제2 반도체 층에 대하여 가압하여 상기 레지스트 패턴을 상기 제2 반도체층 상에 전달하는 단계를 포함하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 스핀 코팅 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴은, SOG 물질, SON 물질, 에폭시 물질 및 금속 산화물이 분산된 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층 상에, 서브 마이크론 이하의 크기를 갖는 레지스트 패턴을 전사시키기 전, 상기 제2 반도체 층에 대하여 자외선-오존 처리 공정, 피라나(piranha) 용액을 이용하는 피라나 공정, 산소 플라즈마 공정 중 어느 하나를 이용하여 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴에 대하여 자외선-오존 처리함으로써 상기 레지스트 패턴의 식각 선택비를 증대시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 요철 패턴은 반구형, 삼각뿔형, 사각뿔형, 육각뿔형, 원뿔형, 잘린 구형 중 적어도 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.