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투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015012508
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전극 패드와 반도체층 사이에, 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성하였다. 따라서, 본 발명은 전극 패드로 주입되는 전류가 투명 전극에서 발광 소자 전체 영역으로 확산되도록 하여 전류 집중 문제를 해결할 뿐만 아니라, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타태고, 전도성 필라멘트의 형성으로 인하여 투명 전극의 전도도가 높아지므로, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에서 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 더 형성하는 경우, 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지에 더 효율적이다.
Int. CL	H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC
출원번호/일자	1020130017915 (2013.02.20)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1436133-0000 (2014.08.25)
공개번호/일자	10-2014-0104144 (2014.08.28) 문서열기
공고번호/일자	(20140901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.02.20)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김태근	대한민국	경기 성남시 분당구
2	김희동	대한민국	서울 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인주원	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단		서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.02.20	수리 (Accepted)	1-1-2013-0151528-33
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0072012-92
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.03.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0303760-20
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.03.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0303759-84
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
7	등록결정서 Decision to grant	2014.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0566189-51
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 위에 형성된 반사층;상기 반사층 위에 형성된 제 2 반도체층;상기 제 2 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 1 반도체층; 및상기 제 1 반도체층 위에 형성되고, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 투명 재질의 절연물질로 형성된 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming) 공정이 수행됨으로써, 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 표면에는 요철 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 굴절율이 점진적으로 감소하는 복수의 투명 전극층들로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층과 상기 투명 전극 사이에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 제 1 반도체층이 접촉하는 면의 반대면에 접촉하고, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
8	8 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-AlGaN층 또는 n-GaN층으로 형성되고, 상기 제 2 반도체층은 p-AlGaN층 또는 p-GaN층으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
9	9 (a) 기판위에, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 절연물질로 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 위에 제 1 반도체층, 빛을 발생시키는 활성층, 제 2 반도체층 및 반사층을 순차적으로 형성하는 단계; (c) 상기 반사층에 접촉하도록 서브마운트 기판을 접합하고, 상기 기판을 분리하는 단계; 및(d) 상기 투명 전극에 전압을 인가하여 상기 투명 전극의 저항 상태를 저저항 상태로 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 투명 전극에 임계 전압 이상의 전압을 인가함으로써 포밍(forming) 공정을 수행하여, 상기 투명 전극 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
11	11 제 9 항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c1) 상기 반사층 위에 접합층을 형성하고, 서브마운트 기판을 상기 접합층에 접합시키는 단계; 및(c2) 상기 기판을 상기 투명 전극으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
12	12 제 9 항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 투명 전극의 표면에 요철패턴을 형성하고, 투명 전극의 저항 상태를 저저항 상태로 변화시키는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
13	13 제 9 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,상기 투명 전극은 굴절율이 점진적으로 증가하는 복수의 투명 전극층들로 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
14	14 제 9 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
15	15 제 9 항에 있어서, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에, 상기 투명 전극 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 전류확산층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 (b) 단계에서, 상기 제 1 반도체층은 상기 전류확산층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
16	16 제 9 항에 있어서, 저저항 상태로 변화된 상기 투명 전극 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 전류확산층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법
17	17 제 9 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-AlGaN층 또는 n-GaN층으로 형성되고, 상기 제 2 반도체층은 p-AlGaN층 또는 p-GaN층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09559262	US	미국	FAMILY
2	US09768358	US	미국	FAMILY
3	US20160005925	US	미국	FAMILY
4	US20170084792	US	미국	FAMILY
5	WO2014129709	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1	US2016005925	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2017084792	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US9559262	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US9768358	US	미국	DOCDBFAMILY
5	WO2014129709	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-1436133-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130220 출원 번호 : 1020130017915 공고 연월일 : 20140901 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140820 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2014년 08월 25일	납입
제 4 년분	금 액	289,800 원	2017년 07월 07일	납입
제 5 년분	금 액	207,000 원	2018년 07월 23일	납입
제 6 년분	금 액	207,000 원	2019년 08월 08일	납입
제 7 년분	금 액	373,000 원	2020년 07월 27일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.02.20	수리 (Accepted)	1-1-2013-0151528-33
2	의견제출통지서	2014.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0072012-92
3	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
4	[명세서등 보정]보정서	2014.03.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0303760-20
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.03.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0303759-84
6	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
7	등록결정서	2014.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0566189-51
8	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


기술번호	KST2015012508
자료제공기관	NTB
기술공급기관	고려대학교
기술명	투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전극 패드와 반도체층 사이에, 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성하였다. 따라서, 본 발명은 전극 패드로 주입되는 전류가 투명 전극에서 발광 소자 전체 영역으로 확산되도록 하여 전류 집중 문제를 해결할 뿐만 아니라, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타태고, 전도성 필라멘트의 형성으로 인하여 투명 전극의 전도도가 높아지므로, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에서 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 더 형성하는 경우, 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지에 더 효율적이다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	전류집중 방지
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,
사업화적용실적
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