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데이터를 저장하는 메모리 셀 어레이; 및상기 메모리 셀 어레이의 고장을 수리하기 위한 스페어 메모리;부모 내용 주소화 메모리;자식 내용 주소화 메모리; 및리던던시 분석 회로; 를 포함하고,상기 스페어 메모리는 상기 메모리 셀 어레이의 고장 주소, 상기 고장 주소에 대한 매핑 주소, 상기 고장 주소를 행 또는 열로 구분하는 플래그 및 상기 고장 주소에 몇 개의 고장이 있는지 저장하는 고장의 수에 대한 저장 영역을 포함하는 주소 매핑 테이블을 저장하고,상기 부모 내용 주소화 메모리 및 상기 자식 내용 주소화 메모리는 상기 매핑 주소의 행 주소, 상기 매핑 주소의 열 주소 및 상기 매핑 주소의 고장이 수리가능한지 여부를 나타내는 수리 가능 플래그를 저장하며,상기 리던던시 분석 회로는 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 상기 매핑 주소를 이용하여 상기 고장을 수리할 수 있는 수리 솔루션을 선택하는 반도체 메모리 장치
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제3항에 있어서,상기 반도체 메모리 장치는상기 부모 내용 주소화 메모리에 기 저장된 고장의 행 주소 및 열 주소와 상기 매핑 주소의 행 주소 및 열 주소가 모두 다른 경우에는 부모 고장으로 분류하여 부모 내용 주소화 메모리에 저장하고,상기 부모 내용 주소화 메모리에 기 저장된 고장의 행 주소 및 열 주소와 상기 매핑 주소의 행 주소 또는 열 주소가 같은 경우에는 자식 고장으로 분류하여 자식 내용 주소화 메모리에 저장하는 반도체 메모리 장치
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제3항에 있어서, 상기 리던던시 분석 회로는행 스페어 메모리의 수를 Rs, 열 스페어 메모리의 수를 Cs라 할 때,상기 부모 고장의 수가 Rs+Cs와 같은 경우,상기 부모 고장 중에서 Rs개를 선택하는 조합의 수( (Rs+Cs)CRs )에 해당하는 수리 솔루션 후보를 나열하고,상기 수리 솔루션 후보에 대해 부모 내용 주소화 메모리와 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 고장의 주소를 비교하여 일치하는 경우 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리의 수리 가능 플래그를 0으로 만들고,상기 부모 내용 주소화 메모리 및 상기 자식 내용 주소화 메모리의 모든 수리 가능 플래그가 0인 경우에는 해당 수리 솔루션 후보를 수리 솔루션으로 선택하는 반도체 메모리 장치
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제3항에 있어서, 상기 리던던시 분석 회로는행 스페어 메모리의 수를 Rs, 열 스페어 메모리의 수를 Cs라 할 때,상기 부모 고장의 수가 Rs+Cs보다 적은 경우,상기 부모 고장과 상기 자식 고장 중에서 Rs개를 선택하는 조합의 수에 해당하는 수리 솔루션 후보를 나열하고, 상기 수리 솔루션 후보에 대해 부모 내용 주소화 메모리와 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 고장의 주소를 비교하여 일치하는 경우 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리의 수리 가능 플래그를 0으로 만들고,상기 부모 내용 주소화 메모리 및 상기 자식 내용 주소화 메모리의 모든 수리 가능 플래그가 0인 경우에는 해당 수리 솔루션 후보를 수리 솔루션으로 선택하는 반도체 메모리 장치
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 리던던시 분석 회로는상기 주소 매핑 테이블에서 상기 수리 솔루션을 통해 상기 메모리 셀 어레이에 대한 최종 수리 솔루션을 도출하는 반도체 메모리 장치
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반도체 메모리 장치를 수리하는 방법에 있어서,메모리 셀 어레이의 고장 메모리 셀의 고장 정보에 대응하는 주소 매핑 테이블을 생성하는 단계;생성한 상기 주소 매핑 테이블을 스페어 메모리에 저장하는 단계;부모 내용 주소화 메모리 및 자식 내용 주소화 메모리에 상기 매핑 주소의 행 주소, 상기 매핑 주소의 열 주소 및 상기 매핑 주소의 고장이 수리가능한지 여부를 나타내는 수리 가능 플래그를 저장하는 단계;리던던시 분석 회로가 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 상기 매핑 주소를 이용하여 상기 고장을 수리할 수 있는 수리 솔루션을 선택하는 단계; 를 포함하고,상기 주소 매핑 테이블을 생성하는 단계는메모리 셀 어레이의 고장 주소를 저장하는 단계;상기 고장 주소에 대한 매핑 주소를 저장하는 단계;상기 고장 주소를 행, 열로 구분하는 플래그를 저장하는 단계; 및상기 고장 주소에 몇 개의 고장이 있는지 저장하는 고장의 수를 저장하는 단계;를 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제11항에 있어서,상기 저장하는 단계는상기 부모 내용 주소화 메모리에 기 저장된 고장의 행 주소 및 열 주소와 상기 매핑 주소의 행 주소 및 열 주소가 모두 다른 경우에는 부모 고장으로 분류하여 부모 내용 주소화 메모리에 저장하는 단계; 및상기 부모 내용 주소화 메모리에 기 저장된 고장의 행 주소 및 열 주소와 상기 매핑 주소의 행 주소 또는 열 주소가 같은 경우에는 자식 고장으로 분류하여 자식 내용 주소화 메모리에 저장하는 단계;를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제11항에 있어서,상기 수리 솔루션을 선택하는 단계는행 스페어 메모리의 수를 Rs, 열 스페어 메모리의 수를 Cs라 할 때,상기 부모 고장의 수가 Rs+Cs와 같은 경우,상기 부모 고장 중에서 Rs개를 선택하는 조합의 수( (Rs+Cs)CRs )에 해당하는 수리 솔루션 후보를 나열하는 단계;상기 수리 솔루션 후보에 대해 부모 내용 주소화 메모리와 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 고장의 주소를 비교하여 일치하는 경우 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리의 수리 가능 플래그를 0으로 만드는 단계; 및상기 부모 내용 주소화 메모리 및 상기 자식 내용 주소화 메모리의 모든 수리 가능 플래그가 0인 경우에는 해당 수리 솔루션 후보를 수리 솔루션으로 선택하는 단계;를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제14항에 있어서,상기 수리 솔루션을 선택하는 단계는상기 리던던시 분석 회로가 상기 주소 매핑 테이블에서 상기 수리 솔루션을 통해 상기 메모리 셀 어레이에 대한 최종 수리 솔루션을 도출하는 단계;를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제11항에 있어서,상기 수리 솔루션을 선택하는 단계는행 스페어 메모리의 수를 Rs, 열 스페어 메모리의 수를 Cs라 할 때,상기 부모 고장의 수가 Rs+Cs보다 적은 경우,상기 부모 고장과 상기 자식 고장 중에서 Rs개를 선택하는 조합의 수에 해당하는 수리 솔루션 후보를 나열하는 단계;상기 수리 솔루션 후보에 대해 부모 내용 주소화 메모리와 자식 내용 주소화 메모리에 저장된 고장의 주소를 비교하여 일치하는 경우 상기 부모 내용 주소화 메모리 또는 상기 자식 내용 주소화 메모리의 수리 가능 플래그를 0으로 만드는 단계; 및상기 부모 내용 주소화 메모리 및 상기 자식 내용 주소화 메모리의 모든 수리 가능 플래그가 0인 경우에는 해당 수리 솔루션 후보를 수리 솔루션으로 선택하는 단계;를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제16항에 있어서,상기 수리 솔루션을 선택하는 단계는상기 리던던시 분석 회로가 상기 주소 매핑 테이블에서 상기 수리 솔루션을 통해 상기 메모리 셀 어레이에 대한 최종 수리 솔루션을 도출하는 단계;를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
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제11항, 제12항 및 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 컴퓨터에서 읽을 수 있는 프로그램을 기록한 기록 매체
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