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하기 [화학식 1]로 표시되는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물;[화학식 1] 상기 [화학식 1]에서 R1은 아세테이트기이며, R2는 C1-C12의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1종이고, R3는 일관능성, 이관능성 또는 다관능성의 에폭시 수지이며,R4 및 R5는 치환 또는 비치환된 C1-C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 방향족기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되고,x + y + z = 100이며, 78 ≤ x ≤ 80, 0 ≤ y ≤ 2, 18 ≤ z ≤21이다
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제1항에 있어서, 상기 R3는 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지 및 지환족형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 R3는 하기 (a) 내지 (e)로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물; (a) (b) (c) (d) (e) 상기 n은 1 내지 10의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 R2, R4 및 R5에서 치환된 치환기는 수소원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 나트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카로복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60의 알킬기, C2-C60의 알케닐기, C2-C60의 알키닐기, C1-C60의 알콕시기, C3-C60의 시클로알킬기, C6-C60의 아릴기, C6-C60의 아릴옥시기, C6-C60의 아릴싸이오기, C2-C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물
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5
하기 [반응식 1]에 따라 유기용매 하에서 [화학식 2]의 화합물과 [화학식 3]의 화합물을 0
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제5항에 있어서, 상기 [화학식 2]의 화합물과 [화학식 3]의 화합물은 5:5 내지 9:1의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸아세테이트, 메탄올, 에탄올, 벤젠, 이소프로필알코올(IPA), N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸설퍼옥사이드(DMSO) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물의 제조방법
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제1항에 따른 [화학식 1]로 표시되는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 수지 조성물을 40 내지 200 ℃로 경화하는 경화단계;상기 경화된 경화물을 70 내지 90 ℃에서 건조하는 건조단계; 및 상기 건조된 건조물을 냉각시키는 냉각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 경화형 아세탈계 에폭시 경화 필름의 제조방법
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