기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법

기술번호 : KST2015012815
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자는, 기판; 및 상기 기판 위에 형성되며, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막;을 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC	H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자	1020140031724 (2014.03.18)
출원인	연세대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1451926-0000 (2014.10.10)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20141023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.03.18)
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김현재	대한민국	서울특별시 송파구
2	김영규	대한민국	경상남도 양산시
3	윤석현	대한민국	서울특별시 중구
4	정주혜	대한민국	서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.03.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-0260209-42
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2014-0380520-18
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search	2014.04.24	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search	2014.04.29	수리 (Accepted)	9-1-2014-0034406-04
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0372639-56
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.07.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0718568-82
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.07.29	수리 (Accepted)	1-1-2014-0718567-36
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
9	등록결정서 Decision to grant	2014.09.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0653832-20

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 기판에 금속 산화물 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 박막 상에 상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 반복하여, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 금속 산화물 전구체 용액은, 상기 다수의 금속 산화물 박막의 목표 두께를 위해 요구되는 목표 금속 몰농도를 상기 금속 산화물 박막의 수로 나눈 만큼의 금속 몰농도를 갖는 전자 소자 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 열처리는, 상기 목표 금속 몰농도를 갖는 금속 산화물 전구체 용액으로 금속 산화물 박막을 형성하기 위해 요구되는 열처리 시간을 상기 금속 산화물 박막의 수로 나눈 만큼의 시간 동안 수행되는 전자 소자 제조 방법
9	9 기판에 금속 산화물 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 박막 상에 상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 반복하여, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 금속 산화물 전구체 용액은 인듐 산화물 전구체 용액을 포함하는 전자 소자 제조 방법
10	10 기판에 금속 산화물 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 박막 상에 상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 반복하여, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 금속 산화물 전구체 용액은 0
11	11 제 10 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체 용액은 0
12	12 기판에 금속 산화물 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 박막 상에 상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 반복하여, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계는:상기 기판을 240 내지 250℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서,상기 기판을 240 내지 250℃에서 열처리하는 단계는:상기 기판을 240 내지 250℃에서 40분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
14	14 제 12 항에 있어서,상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계는:상기 기판을 240 내지 250℃에서 열처리하는 단계 전에, 상기 기판을 240℃보다 낮은 온도에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 전자 소자 제조 방법
15	15 제 14 항에 있어서,상기 기판을 240℃보다 낮은 온도에서 열처리하는 단계는:상기 기판을 100℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
16	16 제 15 항에 있어서,상기 기판을 100℃에서 열처리하는 단계는:상기 기판을 100℃에서 5분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
17	17 기판에 금속 산화물 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 박막 상에 상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 반복하여, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 다수의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계는:상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 1 내지 6 회 반복하여, 2 내지 7 개의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
18	18 제 17 항에 있어서,상기 2 내지 7 개의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계는:상기 금속 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 기판의 열처리를 2 회 반복하여, 3 개의 금속 산화물 박막을 적층하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
19	19 기판에 0

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	한국전자통신연구원	전자정보디바이스산업원천기술개발	150oC 이하 인쇄기반 플렉서블 디스플레이 백플레인용 산화물 반도체, 절연체 잉크 소재 및 공정 기술 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1451926-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20140318 출원 번호 : 1020140031724 공고 연월일 : 20141023 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140925 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20181011

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	276,000 원	2014년 10월 13일	납입
제 4 년분	금 액	228,200 원	2017년 09월 29일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.03.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-0260209-42
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서	2014.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2014-0380520-18
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서	2014.04.24	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서	2014.04.29	수리 (Accepted)	9-1-2014-0034406-04
5	의견제출통지서	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0372639-56
6	[명세서등 보정]보정서	2014.07.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0718568-82
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.07.29	수리 (Accepted)	1-1-2014-0718567-36
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
9	등록결정서	2014.09.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0653832-20


기술번호	KST2015012815
자료제공기관	NTB
기술공급기관	연세대학교
기술명	전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법
기술개요	본 발명은 전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자는, 기판; 및 상기 기판 위에 형성되며, 각 층마다 성분 및 조성이 동일한 다수의 금속 산화물 박막;을 포함할 수 있다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	디스플레이, 반도체
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2016016619][연세대학교]	진동 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치(THIN FILM ACTIVATION METHOD, METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE USING VIBRATIONAL ENERGY)	새창보기
[KST2015126139][연세대학교]	산화물 반도체 제조 방법	새창보기
[KST2015209654][연세대학교]	펜타센 박막 트랜지스터 제조방법	새창보기
[KST2015127192][연세대학교]	산화물 반도체 형성용 조성물, 이를 이용한 잉크젯 프린팅 공정 및 상기 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자 소자	새창보기
[KST2016014875][연세대학교]	산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자(SOLUTION COMPOSITION FOR FORMING OXIDE THIN FILM AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM)	새창보기
[KST2015012938][연세대학교]	채널 도핑과 패시베이션을 동시에 수행하는 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법	새창보기
[KST2015125801][연세대학교]	실리콘 나노 구조체를 이용한 액상 제조 공정 기반의실리콘박막 결정화방법	새창보기
[KST2015124776][연세대학교]	유기 박막 트랜지스터용 자가 패턴성 유전체 박막, 그 제조 방법, 및 이를 구비한 유기 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2014047491][연세대학교]	액상 공정 산화물 박막, 전자소자 및 박막 트랜지스터 제조 기술	새창보기
[KST2015125459][연세대학교]	산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015125467][연세대학교]	투명 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015209792][연세대학교]	투명박막트랜지스터	새창보기
[KST2015209768][연세대학교]	유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015124855][연세대학교]	비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015127037][연세대학교]	저온 액상기반의 산화물 반도체 박막의 제조 방법 및 그를 포함하는 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2015126633][연세대학교]	패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법	새창보기
[KST2015127267][연세대학교]	산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법	새창보기
[KST2015127252][연세대학교]	산화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2015127035][연세대학교]	하프늄 실리케이트 박막 제조방법	새창보기
[KST2015012880][연세대학교]	원자층증착법을 이용한 갈륨 산화물 나노선을 형성하는 방법	새창보기
[KST2015125623][연세대학교]	금속산화물 나노와이어를 이용한 나노활성화 물질과 박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015127822][연세대학교]	산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자	새창보기
[KST2015012817][연세대학교]	다층형 금속 산화물 박막을 갖는 반도체 소자 및 박막 트랜지스터, 그리고 그 제조 방법	새창보기
[KST2015127500][연세대학교]	비정질실리콘의 결정화방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015126386][연세대학교]	피형 산화아연 박막 형성 방법 및 이를 이용한 소자 제조 방법	새창보기
[KST2015126777][연세대학교]	저온 용액공정용 투명 유전체 박막 형성용 코팅액 및 상기 코팅액에 의해 형성한 박막을 구비한 투명 무기 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2014040317][연세대학교]	고유전율 물질인 하프늄옥사이드 산화막의 두께 조절을 이용한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 게이트 전극	새창보기
[KST2015127049][연세대학교]	유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015012997][연세대학교]	산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2015012861][연세대학교]	과산화수소를 이용한 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.